[发明专利]能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构有效
| 申请号： | 201410151768.9 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN104979296B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 张惠益;周永宏;邹崇;胡淋清 | 申请（专利权）人： | 福建上润精密仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;G01L1/00;G01L9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350015 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 能耐 工作压力 高精度 参量 感应 芯片 基座 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，其特征是：有一个底部设置有基座正压腔的圆柱形基座，基座的上边沿轴向的圆周设置有工艺孔，工艺孔轴向到基座正压腔之间设置有密封孔，基座上设置有贯穿工艺孔和密封孔的电信号引脚，电信号引脚与密封孔之间设置有玻璃，基座正压腔轴心上端到工艺孔轴向中间设置有基座轴向负压引压孔，基座轴向负压引压孔上端轴心设置有径向贯穿基座的基座径向负压引压孔；基座轴向负压引压孔下端基座正压腔的上面设置有粘合剂；粘合剂的下边设置有硅感应芯片；硅感应芯片下面与电信号引脚间设置有键合线。
2.根据权利要求1所述的一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，其特征是：所述的基座的上边沿轴向的圆周设置有工艺孔有2～20个。
3.根据权利要求1所述的一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，其特征是：所述的电信号引脚与密封孔由玻璃绝缘密封固定。
4.根据权利要求1所述的一种能耐高工作压力的高精度多参量硅感应芯片的基座结构，其特征是：所述的基座与硅感应芯片由粘合剂密封固定。
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