[发明专利]一种像素分隔墙及其制作方法、基板、以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素分隔墙及其制作方法、基板、以及显示装置。

背景技术

电致变色显示是一种新型的显示技术，与液晶显示相比，其具有清晰度高、视角大、工作电压低、以及不需要背光和偏光片等优点，因此，得到了快速的发展。

目前主流的ECD（Electrochomeric Display，电致变色显示器）为AMECD（Active Matrix ECD，有源矩阵式电致变色显示器），其包括两种进行彩色显示的结构：第一种是RGB（红绿蓝）彩膜+一种EC电解液的结构，第二种是RGB三种EC电解液的结构。

对于任一种进行彩色显示的AMECD结构，为了避免相邻像素显示色彩的串扰，目前的AMECD中一般会设置有用于分隔相邻像素的像素分隔墙。目前一般先采用掩膜版在基板上形成黑矩阵，再采用同一掩膜版在形成有黑矩阵的基板上形成与黑矩阵位置对应的像素分隔墙。其中，采用掩膜版在基板上形成黑矩阵的步骤包括：在基板上涂布一层不透光材料，采用掩膜版对所述不透光材料进行曝光，清洗掉所述掩膜版的不透光区域对应的不透光材料，形成黑矩阵；以及，采用同一掩膜版在形成有黑矩阵的基板上形成像素分隔墙的步骤包括：在形成有黑矩阵的基板上涂布一层光刻胶，采用同一掩膜版对所述光刻胶进行曝光，其中，所述黑矩阵对应所述掩膜版的透光区域，清洗掉所述掩膜版的不透光区域对应的光刻胶，形成所述的像素分隔墙。

由于在采用同一掩膜版对光刻胶进行曝光时，很难实现所述掩膜版的透光区域与黑矩阵位置的精准对应，因此，可能导致制作出的像素分隔墙与黑矩阵部分交叠，使得像素的开口率变小；另外，由于光线存在衍射和散射现象，因此制作出的黑矩阵和像素分隔墙的实际宽度均要比掩膜板的透光区域宽度大，而且，由于与不透光材料相比，光刻胶的厚度比较大，相应地，光刻胶成型需要的曝光时间也会比较长，因此，制作出的像素分隔墙的实际宽度会明显大于黑矩阵的实际宽度，也会导致像素的开口率变小。

综上所述，采用目前方法制作出的像素分隔墙会导致像素的开口率变小，降低AMECD的显示效果。

发明内容

本发明实施例提供一种像素分隔墙及其制作方法、基板、以及显示装置，用以解决现有技术中存在的采用目前方法制作出的像素分隔墙会导致像素的开口率变小的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种像素分隔墙的制作方法，包括：

采用掩膜版，在基板上形成具有磁性的黑矩阵；

在形成有黑矩阵的所述基板表面上均匀地喷涂一层均匀混合有纳米磁性微球的分散剂；其中，所述纳米磁性微球包括磁性材料、以及包裹所述磁性材料且表面包含活性分子链的预聚物；

加热蒸发掉所述分散剂，所述纳米磁性微球聚集到黑矩阵对应区域；

加热熔融所述纳米磁性微球的预聚物，并对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，形成所述像素分隔墙。

较佳地，所述预聚物包括丙烯酸酯类预聚物；

所述加热熔融纳米磁性微球的预聚物，具体包括：

在100℃～200℃的条件下，加热熔融纳米磁性微球的所述预聚物；

对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，具体包括：

在温度为150℃～230℃的条件下，对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行不小于1小时的热固化。

较佳地，所述预聚物包括环氧树脂类预聚物；

所述加热熔融纳米磁性微球的预聚物，具体包括：

在100℃～200℃的条件下，加热熔融纳米磁性微球的所述预聚物；

所述对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，具体包括：

在功率不小于1焦耳每秒的条件下，对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行1秒～10秒的紫外固化。

较佳地，所述黑矩阵的材料为掺杂有磁性材料的不透光材料；

其中，所述不透光材料中掺杂的磁性材料包括合金、铁氧体和金属间化合物中的一种或多种。

较佳地，所述分散剂包括硅烷偶联剂。

第二方面，本发明实施例提供了一种像素分隔墙，其中：所述像素分隔墙采用本发明实施例中所述的方法制作。

较佳地，所述像素分隔墙包括磁性材料、以及经过熔融和固化处理后的预聚物；其中，所述预聚物表面包含活性分子链。

第三方面，本发明实施例提供了一种基板，其中：包括本发明实施例中所述的像素分隔墙。

第四方面，本发明实施例提供了一种显示装置，其中：包括本发明实施例中包括所述的像素分隔墙的基板。