[发明专利]一种电容式RF MEMS开关无效
| 申请号： | 201410139807.3 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103943417A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杨俊民 | 申请（专利权）人： | 苏州锟恩电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 rf mems 开关 | ||
【权利要求书】：
1.一种电容式RF MEMS开关，包括衬底、位于衬底上的缓冲介质层、接地线、共面波导传输线、锚点、绝缘介质层、弹性折叠梁、上电极，所述接地线、共面波导传输线、锚点设于缓冲介质层上，所述绝缘介质层覆于所述共面波导传输线上，所述弹性折叠梁一端与锚点连接，一端与上电极连接，所述上电极与所述绝缘介质层留有间隙，其特征在于：所述弹性折叠梁弯曲形状为n形、弯曲个数为2个、套数为2个；所述上电极分为驱动电极板和电容上极板，所述驱动电极板和电容上极板之间通过双直梁连接。
2.如权利要求1所述的一种电容式RF MEMS开关，其特征在于：所述衬底材料选用高阻硅(大于1000Ω·cm)，缓冲介质层材料为SiO2，绝缘介质层材料为Si3N4。
3.如权利要求2所述的一种电容式RF MEMS开关，其特征在于：所述缓冲介质层厚为1μm,所述绝缘介质层厚度为150nm。
4.如权利要求1所述的一种电容式RF MEMS开关，其特征在于：所述驱动电极板和电容上极板、所述弹性折叠梁材料为Si/Al合金。
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