[发明专利]液晶显示装置及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种液晶显示装置及其制作方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD）因具有低辐射性、厚度薄和耗电低等特点而被广泛应用于平板显示领域中。最初，绝大多数TFT-LCD都是采用扭转向列（Twisted Nematic，TN）模式，然而，TN型液晶显示器的第一电极和第二电极是分别形成在上下两个基板上，其液晶分子是在与基板正交的平面内旋转，由于液晶分子的光学各向异性，导致光从不同角度经过液晶分子后进入人眼的光程不同，因此其显示效果不同，导致视角范围比较小。

为了解决视角范围比较小的问题，边缘电场开关（Fringe Field Switching，FFS）模式、面内切换（In-Plane Switch，IPS）模式等广视角技术被应用到相关产品中。图1为现有的一种FFS型液晶显示装置的剖面结构图，如图1所示，FFS型液晶显示装置700的第一电极71和第二电极72均是形成在下基板701上，第一电极71和第二电极72分别位于不同层上，并且，在像素区域中，第一电极71为整面设置，而第二电极72呈条形设置。图2为现有的一种IPS型液晶显示装置的剖面结构图，如图2所示，IPS型液晶显示装置800的第一电极81和第二电极82也均是形成在下基板801上，第一电极81和第二电极82位于同一层上，并且，在像素区域中，第一电极81和第二电极82均呈条形设置并且交替排布。由于FFS型液晶显示器700与IPS型液晶显示器800的第一电极71、81和第二电极72、82均形成于同一基板上，其液晶分子是在与基板平行的平面内旋转，因而其视角特性得以改善，能够实现广视角显示。

此外，近年来，一种不同于现有的FFS模式与IPS模式的液晶显示装置得以发展，并且相对于现有的FFS模式与IPS显示模式来说，此种液晶显示装置实现了集FFS模式与IPS模式的优点于一身，具有较广的视角范围，较高的穿透率，较短的响应时间。中国专利申请CN201210186741.4揭示了一种液晶显示装置，如图3所示，液晶显示装置900的第一电极91和第二电极92也均是形成在下基板901上，第一电极91和第二电极92分别位于不同层上，并且第一电极91和第二电极92之间夹设有绝缘层93。在像素区域中，第一电极91呈纵横交错的条形设置从而大致形成网状结构，第二电极92呈条形设置并和与其平行的第一电极91交替排列。

但是，由于液晶显示装置900的第一电极91和第二电极92分别位于不同层上，夹设于第一电极91和第二电极92之间的绝缘层93导致第二电极92的上表面与第一电极91的上表面之间存在垂直高度差h，垂直高度差h正好等于绝缘层93的厚度。垂直高度差h使得第一电极91和第二电极92之间存在垂直电场，此垂直电场会对液晶分子在平面内转动具有一定的抑制作用，使得液晶显示装置的穿透率降低、响应时间拉长。

发明内容

本发明的目的在于，提供了一种液晶显示装置，有效减弱了垂直电场对液晶显示层的液晶分子在平面内转动的抑制作用，具有较高的穿透率和较短的响应时间。

本发明的目的在于，提供了一种液晶显示装置的制作方法，有效减弱了垂直电场对液晶显示层的液晶分子在平面内转动的抑制作用，使得所制作的液晶显示装置具有较高的穿透率和较短的响应时间。

本发明解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。

一种液晶显示装置，包括第一基板、与第一基板相对设置的第二基板、以及夹设于第一基板与第二基板之间的液晶显示层，其特征在于，

第一基板包括第一透明基底、依次形成于第一透明基底表面上的第一绝缘层、第一电极、第二绝缘层以及第二电极，

第一绝缘层具有远离第一透明基底的第一绝缘表面，第一电极设置于第一绝缘表面并覆盖部分第一绝缘表面，第二绝缘层设置于第一电极和第一绝缘层上，第二绝缘层的远离第一绝缘层的第二绝缘表面具有多个向第一绝缘层的方向凹进的第二凹陷部，第二凹陷部对应于第二绝缘表面未被第一电极覆盖的部分，

第二电极包括多个第三条状电极，第三条状电极包括第一部分与第二部分，第一部分设置于第二绝缘表面并位于第二凹陷部中。

在本发明较佳的实施例中，第一绝缘层的第一绝缘表面向第一透明基底凹进形成第一凹陷部，第一电极设置于第一绝缘表面并露出第一凹陷部，第二绝缘层的第二绝缘表面在对应第一凹陷部处向第一绝缘层的方向凹进形成第二凹陷部。