[发明专利]用于解决干法蚀刻边缘效应的盖板及其制备方法在审
| 申请号： | 201410126842.1 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103887215A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈起伟;魏臻;孙智江;施荣华 | 申请（专利权）人： | 海迪科(苏州)光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B23P15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215131 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 解决 蚀刻 边缘 效应 盖板 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于解决干法蚀刻边缘效应的盖板，用于在图形化蓝宝石衬底的蚀刻过程中形成蚀刻图案，其特征在于：包括由金属材料制成的遮挡盖板和覆盖于所述的遮挡盖板上表面的耐腐蚀层，所述的遮挡盖板上的预定位置制作有掩膜图形。
2.根据权利要求1所述的用于解决干法蚀刻边缘效应的盖板，其特征在于：所述的耐腐蚀层至少包括一层陶瓷覆盖层。
3.根据权利要求2所述的用于解决干法蚀刻边缘效应的盖板，其特征在于：所述的陶瓷覆盖层的厚度范围为10-200μm。
4.根据权利要求2所述的用于解决干法蚀刻边缘效应的盖板，其特征在于：所述的掩膜图形为圆柱形。
5.一种用于生产以上任一权利要求所述的用于解决干法蚀刻边缘效应的盖板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：提供一由金属材料制成的遮挡盖板；
步骤S2：根据掩膜图形对所述的遮挡盖板进行加工，制作与掩模图形相对应的遮挡盖板；
步骤S3：在所述的遮挡盖板上表面设置耐腐蚀层。
6.根据权利要求5所述的用于解决干法蚀刻边缘效应的盖板的制备方法，其特征在于：在所述的步骤S2与步骤S3之间还具有一表面处理步骤，用于对所述的遮挡盖板进行表面处理。
7.根据权利要求6所述的用于解决干法蚀刻边缘效应的盖板的制备方法，其特征在于：所述的表面处理步骤包括用于对所述的遮挡盖板进行表面抛光的步骤。
8.根据权利要求7所述的用于解决干法蚀刻边缘效应的盖板的制备方法，其特征在于：所述的表面处理步骤包括用于对表面抛光后的遮挡盖板进行除油的步骤。
9.根据权利要求5所述的用于解决干法蚀刻边缘效应的盖板的制备方法，其特征在于：所述的耐腐蚀层由陶瓷材料制成。
10.根据权利要求5所述的用于解决干法蚀刻边缘效应的盖板的制备方法，其特征在于：所述的步骤S3中采用喷涂的方法将耐腐蚀层涂覆于所述的遮挡盖板的上表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
