[发明专利]一种MEMS麦克风芯片切割方法

权利要求书

1.一种MEMS麦克风芯片的切割方法，所述芯片包括具有贯穿孔的衬底以及设置在所述贯穿孔上方、由振动膜和背电极构成的平行板电容器，其特征在于，所述切割方法包括：

步骤S1，在所述衬底下方贴附下层膜；

步骤S2，在所述振动膜上方以一定间隔设置上层膜，所述上层膜为UV膜；

步骤S3，通过水刀切割MEMS麦克风晶圆以分离多个所述MEMS麦克风芯片；以及

步骤S4，通过紫外线照射去除所述上层膜。

2.如权利要求1所述的MEMS麦克风芯片的切割方法，其特征在于，所述振动膜通过隔离层固定于所述背电极上方，且至少部分所述隔离层覆盖于所述振动膜上；步骤S2中通过将所述上层膜贴附于所述隔离层覆盖所述振动膜的部分，以使所述上层膜间隔地设置于所述振动膜上方。

3.如权利要求2所述的MEMS麦克风芯片的切割方法，其特征在于，步骤S4包括：从所述MEMS麦克风芯片的振动膜一侧进行紫外线灯照射以降低所述上层膜的粘附性；以及倒置所述MEMS麦克风晶圆，以使所述上层膜脱落。

4.如权利要求3所述的MEMS麦克风芯片的切割方法，其特征在于，所述紫外线灯的功率大于等于750瓦，照射时间为20-30秒。

5.如权利要求2所述的MEMS麦克风芯片的切割方法，其特征在于，所述下层膜的粘附性大于所述上层膜的粘附性。

6.如权利要求5所述的MEMS麦克风芯片的切割方法，其特征在于，所述上层膜的厚度为20～30μm。

7.如权利要求5或6所述的MEMS麦克风芯片的切割方法，其特征在于，所述下层膜为UV膜，其厚度大于所述上层膜的厚度。

8.如权利要求2所述的MEMS麦克风芯片的切割方法，其特征在于，所述隔离层覆盖所述振动膜的部分的厚度为30～50μm。

9.如权利要求8所述的MEMS麦克风芯片的切割方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氮化硅。

10.如权利要求1所述的MEMS麦克风芯片的切割方法，其特征在于，所述MEMS麦克风晶圆上具有切割道，当实施水刀切割时水刀沿着所述切割道行进以分离多个所述MEMS麦克风芯片；所述切割道上设置有脉冲编码调制器。