[发明专利]显示设备及其制造方法

说明书

一种显示设备包括：形成于基板之上且用作栅极电极的第一布线；形成于第一布线之上的栅极绝缘膜；设置在栅极绝缘膜之上的第二布线和电极层；以及形成于第二布线和电极层之间的高阻抗氧化物半导体层。在该结构中，第二布线是使用低阻抗氧化物半导体层和低阻抗氧化物半导体层上的导电层的层叠体而构成的，并且电极层是使用低阻抗氧化物半导体层和层叠的导电层的层叠体而构成的，使得用作低阻抗氧化物半导体层的像素电极的区域露出来。

本申请是申请日为2009年12月24日、申请号为200910262549.7、发明名称为“显示设备及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及显示设备及其制造方法。另外，本发明涉及具有这种显示设备的电子装置。

背景技术

有许多种金属氧化物，并且有各种各样的金属氧化物的应用。氧化铟是一种公知的材料，被用作液晶显示器等所需的透明电极的材料。

一些金属氧化物具有半导体特性。具有半导体特性的金属氧化物是一种化合物半导体。这种化合物半导体是一种用两种或更多种结合在一起的元素构成的半导体。通常，金属氧化物变为绝缘体。然而，公知的是，依据金属氧化物中所包括的多种元素的组合，金属氧化物也能变为半导体。

已知，某些金属氧化物具有半导体特性，例如，氧化钨、氧化锡、氧化铟和氧化锌。有人已经揭示了一种薄膜晶体管，其沟道形成区域是这种金属氧化物所构成的透明半导体层（参照专利文献1、2、3、4和非专利文献1）。

除了上述单一成分的氧化物以外，多种成分的氧化物也是具有半导体特性的金属氧化物之一。例如，包括同系列的InGaO₃(ZnO)_m(m:自然数)就是一种公知的材料（非专利文献2、3、4）。

此外，已经证明，上述这种同系列的薄膜可以被用作薄膜晶体管的沟道层（参照专利文献5和非专利文献5、6）。

另外，专利文献6、7揭示了多种技术，通过这些技术可利用氧化锌或In-Ga-Zn-O基氧化物半导体来制造薄膜晶体管并将其用作利用金属氧化物半导体的薄膜晶体管，并且这种薄膜晶体管被用作图像显示设备的开关元件等。

参考文献

专利文献

[专利文献1]日文公布的专利申请No.S60-198861

[专利文献2]PCT国际申请No.H11-505377的日文翻译

[专利文献3]日文公布的专利申请No.H8-264794

[专利文献4]日文公布的专利申请No.2000-150900

[专利文献5]日文公布的专利申请No.2004-103957

[专利文献6]日文公布的专利申请No.2007-123861

[专利文献7]日文公布的专利申请No.2007-96055

[非专利文献]

[非专利文献1]M.W.Prins,K.O.Grosse-Holz,G.Muller,J.F.M.Cillessen,J.B.Giesbers,R.P.Weening,和R.M.Wolf,A ferroelectric transparent thin-filmtransistor,Appl.Phys.Lett.,17June1996,Vol.68pp.3650-3652