[发明专利]一种具有高反射率反射镜的垂直结构发光二极管无效
| 申请号： | 201410114252.7 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103872208A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘军林;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反射率 反射 垂直 结构 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有高反射率反射镜的垂直结构发光二极管，从下至上依次包括导电衬底、导电焊接层、P型层、发光层、具有粗化表面的N型层、N电极，其特征在于：在导电焊接层和P型层之间设有由Ag基反射镜和低折射率介质反射镜组成的复合反射镜，若干个低折射率介质反射镜均匀布置在Ag基反射镜的上表面，且低折射率介质反射镜所占的表面积占复合反射镜的表面积的20-80%。
2.根据权利要求1所述的垂直结构发光二极管，其特征在于：低折射率介质反射镜所占的表面积占复合反射镜的表面积的40-60%。
3.根据权利要求1所述的垂直结构发光二极管，其特征在于：构成低折射率介质反射镜的介质为SiO2、真空或者空气中的一种。
4.根据权利要求1所述的垂直结构发光二极管，其特征在于：P型层、发光层、具有粗化表面的N型层为AlGaInN基或者AlGaInP基材料体系中的一种。
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