[发明专利]一种承载装置及等离子体加工设备

说明书

技术领域

本发明属于微电子加工技术领域，具体涉及一种承载装置及等离子体加工设备。

背景技术

图形化蓝宝石衬底（Patterned Sapphire Substrate，以下简称PSS）是目前较为主流的提高LED器件出光效率的衬底，通常采用干法刻蚀技术对存在掩膜图形的蓝宝石衬底进行刻蚀，以得到图像化的蓝宝石衬底。在进行PSS刻蚀工艺的过程中，为了提高单次工艺的产能，通常采用承载装置将多个基片传送至反应腔室内的基座上，以能够同时对多个基片进行工艺加工。

如图1和图2所示，现有技术中提供了一种承载装置，包括盖板1和托盘2。其中，在托盘2上设置有多个用于承载被加工工件5的承载位；并且，在托盘2的上表面上设置有环绕在该承载位的外侧的环形凹槽，该环形凹槽的外侧侧壁与底面呈直角，且内侧侧壁与底面呈锐角。而且，在该环形凹槽内还设置有密封圈4和绝缘环3，其中，绝缘环3通过公差配合的方式卡设在该环形凹槽内，即，绝缘环3的外周壁与环形凹槽的外侧侧壁公差配合，以限定绝缘环3在托盘2上的水平位置；并且，绝缘环3的上表面高于托盘2的上表面，且绝缘环3的内径与被加工工件5的外径相等，用以限定被加工工件5在托盘2上的水平位置。此外，密封圈4位于绝缘环3的内环壁与环形凹槽的内侧侧壁之间，用以密封被加工工件5的下表面与承载位之间的间隙。盖板1叠置在托盘2的上表面，用以将被加工工件5固定在托盘2上。

上述承载装置在实际应用中不可避免的存在下述问题：

其一，由于绝缘环3的定位作用是通过其外周壁与环形凹槽的外侧侧壁的公差配合来实现的，并且绝缘环3由陶瓷或石英制成，陶瓷或石英本身硬度较大，很难产生形变，这使得为了能够保证绝缘环3对被加工工件5定位准确，就需要提高对绝缘环3的加工精度的要求，从而导致绝缘环3的制造成本增加。

其二，由于绝缘环3的定位作用是通过其外周壁与环形凹槽的外侧侧壁的公差配合来实现的，绝缘环3在竖直方向上的自由度没有限制，这使得在工艺结束之后需要取出被加工工件5时，往往会出现密封圈4和/或绝缘环3粘在被加工工件5的下表面上一起被取出的情况，从而需要重新将密封圈4和/或绝缘环3放回托盘2上，这不仅会造成工艺效率降低、操作人员的工作量增加，而且还会存在损坏晶片或密封圈和/或绝缘环的风险。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种承载装置及等离子体加工设备。

为解决上述问题之一，本发明提供了一种承载装置，其包括托盘和绝缘环，在所述托盘上表面设置有用于承载被加工工件的承载位，并且在所述托盘的上表面上还设置有环绕所述承载位的环形凹槽，用于容纳所述绝缘环；所述绝缘环用于限制置所述承载位上的被加工工件水平移动；在所述绝缘环的外周壁上设置有至少一对凸部，每对凸部关于所述承载位的中心对称；所述环形凹槽包括第一槽段和第二槽段，二者各自的对数与所述凸部的对数相对应，且所述第一槽段与第二槽段相间设置，其中，每对第一槽段关于所述承载位的中心对称，且所述第一槽段被设置为：通过旋转所述绝缘环而使每对凸部分别与相应的一对第一槽段相对时，能够使所述绝缘环移入或移出所述环形凹槽；每对第二槽段关于所述承载位的中心对称，且所述第二槽段被设置为：通过旋转所述绝缘环而使每对凸部分别与相应的一对第二槽段相对时，能够阻止所述绝缘环移出所述环形凹槽。

其中，所述第一槽段包括直槽或者梯形槽。

其中，所述第二槽段包括燕尾槽或者T型槽。

其中，所述凸部的外周壁的形状与所述第二槽段的外侧侧壁的形状相适配。

其中，所述承载装置还包括密封圈，所述密封圈设置在所述环形凹槽内，且位于所述绝缘环的内环壁与所述环形凹槽的内侧侧壁之间；并且，所述密封圈用于密封被加工工件的下表面与所述承载位之间的间隙，以及利用自身弹性向所述绝缘环施加朝向所述环形凹槽的外侧侧壁的压力。

其中，所述绝缘环的上表面高于所述托盘的上表面，且所述绝缘环内周壁的上沿直径与所述被加工工件的直径相对应。

其中，所述承载装置还包括盖板，用于将置于所述承载位上的被加工工件固定在所述托盘上；并且，所述盖板与所述托盘采用螺纹连接的方式固定连接。

其中，对应地分别在所述第一槽段的内侧侧壁和所述绝缘环的内周壁上设置有平边，用于限定被加工工件的水平位置。

其中，所述凸部的对数为一对；在所述绝缘环的径向截面上，每个凸部的中心线与所述平边的中心线之间的中心角为90°。