[发明专利]一种半浮栅存储器结构有效
| 申请号： | 201410093030.1 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104916640B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 康劲;卜伟海;王文博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半浮栅 存储器 结构 | ||
1.一种半浮栅存储器结构，包括：MOSFET、嵌入式TFET和控制栅极；
所述控制栅极和所述嵌入式TFET相连接；
所述MOSFET包括半浮栅、源极和漏极，所述嵌入式TFET包括第一二极管和第二二极管；
所述半浮栅和所述第一二极管的输入端相连接，所述半浮栅和所述第二二极管的输入端相连接；
所述源极和所述第一二极管的输出端相连接，所述漏极和所述第二二极管的输出端相连接。
2.如权利要求1所述的半浮栅存储器结构，其特征在于，所述控制栅极控制所述嵌入式TFET对所述半浮栅进行充放电以实现写功能，所述半浮栅存储器结构实施写功能时所述源漏极同时为高电位或者低电位。
3.如权利要求1所述的半浮栅存储器结构，其特征在于，所述半浮栅存储器结构通过所述半浮栅控制所述MOSFET来实现读功能，所述半浮栅存储器结构实施读功能时所述控制栅极保持所述嵌入式TFET关断。
4.如权利要求1所述的半浮栅存储器结构，其特征在于，所述MOSFET的阈值电压小于所述嵌入式TFET中的所述第一二极管和所述第二二极管的正向导通开启电压来实现所述半浮栅存储器结构的读功能。
5.一种半浮栅存储器结构，包括：
半导体衬底，
位于所述半导体衬底上的栅极介质层；
位于所述栅极介质层中的浮栅接触区；
位于所述栅极介质层上的半浮栅，所述半浮栅包括第一半浮栅和第二半浮栅，所述第一半浮栅的宽度大于所述第二半浮栅的宽度；
位于所述半浮栅表面以及侧面的隔离介质层；
位于所述第二半浮栅上的控制栅极，所述控制栅极覆盖位于所述第二半浮栅上的所述隔离介质层；
位于所述控制栅极两侧的第一侧墙；
位于未覆盖有所述控制栅极的所述隔离介质层两侧的第二侧墙；
其中，所述第二半浮栅完全覆盖所述浮栅接触区，所述控制栅极包裹所述第二半浮栅，所述半浮栅的离子掺杂类型和所述半导体衬底中阱的离子掺杂类型相同。
6.如权利要求5所述的半浮栅存储器结构，其特征在于，还包括位于所述半导体衬底中、所述第一半浮栅和所述控制栅极两侧的源漏区。
7.如权利要求6所述的半浮栅存储器结构，其特征在于，所述源漏区的离子掺杂类型和所述半浮栅的离子掺杂类型相反。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
