[发明专利]一种像素阵列基板以及包括其的平板传感器

说明书

技术领域

本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种像素阵列基板以及包括其的平板传感器。

背景技术

平板传感器是一种将入射光按照光强转换为电信号的装置。入射光照射物体后经物体反射或者透射后，会发生吸收、散射等作用，由于物体不同区域的结构不同，所以经过不同区域的光强不同，最后通过平板传感器对光强进行处理并形成一个与物体表面或者内部结构相应的灰阶图，以便于对物体进行分析。由于平板传感器可有效地对物体进行无损检测，所以在医疗、安检、工业无损探测等领域都得到了广泛的发展和应用。

在平板传感器的制程中，例如，将栅驱动芯片或者读出芯片绑定到平板传感器上等等操作，通常会产生静电，并且静电有可能会沿着数据线的信号输出端进入到像素阵列，也就是显示区域，从而损伤显示区域中的像素单元，造成图像缺陷。目前经大量数据表明，对于没有静电防护结构的平板传感器，若静电不太严重时，静电电流几乎都是将像素阵列中靠近外围区域的几行像素单元的TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）晶体管的源极和漏极金属以及位于其上面的公共电极击穿，使得TFT晶体管的源极或者数据线与公共电极短路，导致TFT晶体管不能正常工作。若静电比较严重时，在外围区域处会造成数据线金属与其上面的位于公共电极环中的公共电极短路，或者导致该公共电极被烧断，使得与该公共电极相连的部分TFT晶体管因没有公共电压而无法正常工作。而且，当有TFT晶体管被损坏时，需要用激光将TFT晶体管和数据线隔离开，像素阵列上的TFT晶体管和数据线的距离较近，激光很容易将数据线打断，造成相应数据线的损坏，影响像素阵列的正常工作。

现有技术中，为了防止静电损伤，在平板传感器中会设有静电防护结构。图1是现有技术的设有静电防护结构的平板传感器的结构示意图。如图1所示，平板传感器包括像素阵列区11和包围像素阵列区的外围区域12，为了防止像素阵列区11中的像素单元112受到静电损伤，在外围区域12中设有静电防护结构，该静电防护结构包括静电防护像素单元121、静电防护电容122、用于控制静电防护像素单元121的TFT晶体管123和外围扫描线124，其中，该TFT晶体管123的栅极与外围扫描线124电连接（外围扫描线124与像素阵列区11中的扫描线111相互独立）、源极与数据线13电连接和漏极与静电防护像素单元121电连接；静电防护电容122的一电极连接至数据线13并且另一电极连接至固定电位125。此种设计是将静电先传输至静电防护电容122，如仍有剩余的静电，则再通过数据线13传输到静电防护像素单元121上，从而避免显示区域的像素单元受到静电损伤。然而，这种静电防护结构对像素阵列区11中的像素单元112的静电防护作用较差。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种像素阵列基板以及包括其的平板传感器，以解决现有技术中平板传感器的静电防护结构对像素阵列区中的像素单元的静电防护作用较差的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种像素阵列基板，包括：像素阵列区以及包围所述像素阵列区的外围区域；多条数据线；与所述数据线交叉绝缘且位于所述外围区域的第一扫描线，所述外围区域中还包括至少一个静电防护单元，其中，每个静电防护单元位于所述数据线与所述第一扫描线的交叉处，且每个静电防护单元电连接至一条数据线，每个静电防护单元包括：至少一个第一TFT晶体管和至少一个电容，其中每个所述第一TFT晶体管的底栅极与所述第一扫描线电连接，每个所述第一TFT晶体管的源极与所述数据线电连接，每个所述第一TFT晶体管的漏极与所述电容的第一电极电连接，每个所述第一TFT晶体管的顶栅极以及所述电容的第二电极均电连接至固定电位。

第二方面，本发明实施例还提供了一种平板传感器，包括如上述第一方面的像素阵列基板。

本发明实施例提供的像素阵列基板以及包括其的平板传感器，通过在像素阵列区的外围区域设置至少一个静电防护单元，每个静电防护单元位于数据线和第一扫描线的交叉处且电连接至一条数据线，并且每个静电防护单元包括至少一个第一TFT晶体管和至少一个电容，其中每个第一TFT晶体管的底栅极与第一扫描线电连接，每个第一TFT晶体管的源极与数据线电连接，每个第一TFT晶体管的漏极与电容的第一电极电连接，每个第一TFT晶体管的顶栅极以及电容的第二电极均电连接至固定电位，在产生的静电经数据线从外围区域向像素阵列区传输的过程中，静电电流会先造成静电防护单元中的第一TFT晶体管被击穿，这样可以避免或较大程度减小像素阵列区中的第二TFT晶体管被击穿的概率，从而能够较好地对像素阵列区中的像素单元起到静电防护作用。