[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。

背景技术

液晶显示装置(LCD，Liquid Crystal Display)具有轻薄短小、低功耗及低发热量等优点，使液晶显示装置在众多不同类型的显示装置中脱颖而出，被广泛于诸如电视、计算机、平板电脑以及移动电话等现代化信息设备上。

在薄膜晶体管液晶显示中，薄膜晶体管的特性对显示面板的显示质量有着重要的影响，许多显示不良均与薄膜晶体管特性异常相关。在扭曲向列型(TN，Twisted Nematic)显示模式中，很容易测试每个薄膜晶体管的开关特性，但是对于图1A至1C中所示的常规高级超维场转换型(Advanced Super Dimension Switch，ADS)阵列基板而言，则无法直接测量薄膜晶体管的开关特性。如图1A至1C所示，常规ADS阵列基板包括基板1、形成在基板1上方的栅极2、形成于栅极2上方的栅极绝缘层7、与栅极2相对地形成在栅极绝缘层7上方的有源层4、形成在有源层4上方的源-漏电极3、形成在栅极绝缘层7上方且与薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极5、覆盖源-漏电极3和像素电极5的钝化层8、以及与像素电极5对应并形成在钝化层8上方的公共电极6，由于ADS型阵列基板特殊的像素结构，即其像素电极5位于公共电极6和钝化层8下方(如图1B和1C所示)，因而导致无法直接测量薄膜晶体管的开关特性，从而在不良分析中无法判断薄膜晶体管特性的影响，对显示面板的不良解析带来很大的影响。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是ADS型阵列基板难以测量薄膜晶体管特性的问题。

为此目的，本发明提出了一种阵列基板，包括：栅极，形成在所述基板上方；栅极绝缘层，形成在所述栅极上方；有源层，与所述栅极相对，形成在所述栅极绝缘层上方；源极和漏极，形成在所述有源层上方；像素电极，形成在所述栅极绝缘层上方且所述漏极电连接；钝化层，覆盖所述源极、漏极和像素电极；以及公共电极，与所述像素电极对应且形成在所述钝化层上方；其中，所述公共电极中形成有开口，所述开口贯穿所述钝化层暴露出其下方的像素电极。

优选地，所述阵列基板还包括：导电接触，形成在所述开口内的像素电极上。

优选地，所述开口形成在所述阵列基板的蓝色像素中。

优选地，所述漏极形成在所述像素电极上。

优选地，所述开口位于所述阵列基板的非显示区域内。

本发明还提供了一种显示面板，包括上述阵列基板，其中所述显示面板内的黑矩阵遮挡所述开口。

本发明进一步提出了一种阵列基板的制造方法，包括：在基板上形成栅极；在所述栅极上形成栅极绝缘层；与所述栅极相对，在所述栅极绝缘层上形成有源层；在所述栅极绝缘层上形成像素电极；在所述有源层上形成源极和漏极；沉积钝化层，以覆盖所述源极、漏极和像素电极；在所述钝化层上形成与所述像素电极对应的公共电极；在所述公共电极中形成开口，所述开口贯穿所述钝化层暴露出其下方的像素电极。

优选地，所述方法还包括：在所述开口内的像素电极上形成导电接触。

优选地，所述导电接触与所述源极和漏极在同一步骤中形成。

优选地，所述漏极形成在所述像素电极上。

通过采用本发明所公开的方案，利用现有的掩膜制造工艺，制造出能够容易地测量薄膜晶体管特性的阵列基板，从而提高了显示面板不良分析的准确性。

附图说明

通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：

图1A示出了现有技术中ADS阵列基板的平面图；

图1B示出了沿图1A中的线A-A’的截面图；

图1C示出了沿图1A中的线B-B’的截面图；

图2A示出了根据本发明实施例的阵列基板的平面图；

图2B示出了沿图2A中的线C-C’的截面图；

图3示出了根据本发明实施例的阵列基板的测试示意图；

图4示出了根据本发明实施例的阵列基板的制造流程图；

图5示出了根据本发明另一实施例的阵列基板。

附图元件说明：

1：基板；        2：栅极；      3：源-漏电极；

4：有源层；      5：像素电极；  6：公共电极；

7：栅极绝缘层；  8：钝化层；    9：开口；

10：导电接触；   11：栅线；     12：数据线；

13：测试焊盘。