[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底的单元区上形成分离栅结构，所述衬底包括其中形成存储器单元的所述单元区和其中形成逻辑元件的逻辑区，所述逻辑区具有高压区域、超高压区域和低压区域，所述分离栅结构包括第一栅极绝缘层图案、浮置栅极、隧道绝缘层图案和控制栅极；

在所述分离栅结构和所述衬底上形成间隔物层；

蚀刻所述间隔物层以形成间隔物和第二栅极绝缘层图案，所述间隔物形成在所述分离栅结构的侧壁上，所述第二栅极绝缘层图案形成在所述衬底的所述超高压区域上；以及

在所述高压区域、所述第二栅极绝缘层图案和所述低压区域上形成栅电极。

2.如权利要求1所述的方法，其中在形成所述栅电极之前，所述方法还包括，

在所述高压区域和所述第二栅极绝缘层图案上形成第三栅极绝缘层图案。

3.如权利要求2所述的方法，其中在形成所述第三栅极绝缘层图案之后，所述方法还包括，

在所述高压区域中的所述第三栅极绝缘层图案、所述超高压区域中的所述第三栅极绝缘层图案以及所述低压区域上形成第四栅极绝缘层图案。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成所述分离栅结构包括：

在所述衬底上顺序地形成第一栅极绝缘层和浮置栅极层；

图案化所述浮置栅极层和所述第一栅极绝缘层以形成顺序地堆叠在所述衬底的所述单元区上的所述第一栅极绝缘层图案和所述浮置栅极；

在所述衬底上顺序地形成隧道绝缘层和控制栅极层以覆盖所述第一栅极绝缘层图案和所述浮置栅极；以及

图案化所述控制栅极层和所述隧道绝缘层。

5.如权利要求4所述的方法，其中图案化所述浮置栅极层和所述第一栅极绝缘层包括：

在所述浮置栅极层上形成第一掩模，所述浮置栅极层的与所述衬底的所述单元区交叠的部分通过所述第一掩模暴露；

氧化所述浮置栅极层的暴露部分以形成氧化物层；

在所述第一掩模的侧壁上形成第二掩模以部分地覆盖所述氧化物层；

利用所述第二掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述氧化物层以形成氧化物层图案；

除去所述第一和第二掩模；以及

利用所述氧化物层图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述浮置栅极层和所述第一栅极绝缘层。

6.如权利要求4所述的方法，其中在顺序地形成所述第一栅极绝缘层和所述浮置栅极层之前，所述方法还包括，

在所述超高压区域中的所述衬底的上部处掺入杂质。

7.如权利要求1所述的方法，其中形成所述栅电极包括：

在所述分离栅结构、所述间隔物、所述第二栅极绝缘层图案和所述衬底上形成栅电极层；以及

图案化所述栅电极层。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一栅极绝缘层图案、所述隧道绝缘层图案和所述间隔物层包括硅氧化物，所述浮置栅极、所述控制栅极和所述栅电极包括掺杂的多晶硅。