[发明专利]复合基板及其制造方法、柔性显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201410074714.7 | 申请日: | 2014-03-03 |
| 公开(公告)号: | CN103956363A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
| 发明(设计)人: | 谢再锋 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/02;B32B33/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 复合 及其 制造 方法 柔性 显示装置 | ||
1.一种复合基板,包括:
刚性基板,具有第一表面;
柔性基板,设置在所述刚性基板上,具有与所述刚性基板的第一表面相对的第二表面;
离型层,位于所述刚性基板与所述柔性基板之间,所述离型层包含一化学元素,所述化学元素位于元素周期表第四主族或第二副族;
所述刚性基板的第一表面以及所述柔性基板的第二表面与所述离型层的化学元素之间形成有化学键。
2.如权利要求1所述的复合基板,其特征在于,所述化学元素位于元素周期表的第一周期至第五周期。
3.如权利要求1-2任一项复合基板,其特征在于,所述化学元素为硅,所述化学键为硅氧键。
4.如权利要求1-2任一项所述复合基板,其特征在于,所述柔性基板由热膨胀系数不大于10ppm/℃的材料构成 。
5.如权利要求4所述的复合基板,其特征在于,所述材料包含有聚乙烯,聚丙烯,聚苯乙烯,聚对苯二甲酸乙二醇酯,聚砜醚,聚对萘二甲酸乙二醇酯,聚酰亚胺之中的任意一种或几种。
6.一种复合基板的制备方法,包括以下步骤:
提供一刚性基板,具有第一表面;
提供一柔性基板,具有第二表面;
对所述刚性基板的第一表面进行活化;
对所述柔性基板的第二表面进行活化;
在所述刚性基板的第一表面与所述柔性基板的第二表面的至少一个表面上形成离型层,所述离型层包含一化学元素,该元素位于元素周期表第四主族或第二副族;
将所述刚性基板与所述柔性基板进行压合,所述第一表面与所述第二表面相对。
7.如权利要求6所述的复合基板的制备方法,其特征在于,在所述刚性基板的第一表面与所述柔性基板的第二表面的至少一个表面上形成离型层后,进一步还包含以下步骤:
对所述离型层远离基板的一侧表面进行活化。
8.如权利要求7所述的复合基板的制备方法,其特征在于,所述对所述离型层远离基板的一侧表面进行活化步骤,具体包括:采用等离子体对所述离型层远离基板的一侧表面进行轰击,在所述离型层远离基板一侧的表面上形成羟基。
9.如权利要求6所述的复合基板的制备方法,其特征在于,所述对所述刚性基板的第一表面进行活化及所述对所述柔性基板的第二表面进行活化步骤,具体包括:
采用等离子体对所述刚性基板的第一表面进行轰击,在所述所述刚性基板的第一表面上形成羟基;
采用等离子体对所述柔性基板的第二表面进行轰击,在所述柔性基板的第二表面上形成羟基。
10.如权利要求8或9所述的复合基板的制备方法,其特征在于,所述等离子体包含氧等离子体,氩等离子体中的一种或其结合。
11.如权利要求6所述的复合基板的制备方法,其特征在于,形成所述离型层的方法具体包括等离子体增强化学气相沉积法,朗缪尔-布劳杰特成膜法,溶胶-凝胶法中的任意一种。
12.一种柔性显示装置,包括:
柔性基板,具有第二表面以及与第二表面相背的第三表面;
基团层,位于所述柔性基板的第二表面,所述基团层包含一化学元素, 所述化学元素位于元素周期表第四主族或第二副族;
所述柔性基板的第二表面与所述基团层的化学元素之间形成有化学键;
显示元件,位于所述柔性基板的第三表面。
13.如权利要求12所述的柔性显示装置,其特征在于,所述化学元素位于元素周期表的第一周期至第五周期。
14.如权利要求13所述的柔性显示装置,其特征在于,所述化学元素为硅,所述化学键为硅氧键。
15.如权利要求12所述的柔性显示装置,其特征在于,所述显示元件为有机发光二极管显示装置,液晶显示装置,电泳显示装置或等离子体显示装置中的任意一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司,未经上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





