[发明专利]一种Er3+/Yb3+双掺杂NaYF4上转换发光单晶体及其生长方法

权利要求书

1.一种Er³⁺/Yb³⁺双掺杂NaYF₄上转换发光单晶体及其生长方法，其特征在于该Er³⁺/Yb³⁺双掺杂氟化钇钠单晶体的化学式为NaY_(1-α-β)Er_αYb_βF₄，其中α与β分别为Er与Yb置换Y的摩尔比，0.0050≤α≤0.040，0.01≤β≤0.15。

2.权利要求1所述的一种Er³⁺/Yb³⁺双掺杂NaYF₄上转换发光单晶体的生长方法，其特征在于步骤如下：

1)、将NaF、YF₃、ErF₃、YbF₃按摩尔百分比55.0～60.0∶21.72～43.56∶0.47～3.77∶0.97～14.51混合，置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到均匀粉末的混合料；

2)、将上述混合料置于铂金坩锅中，铂金坩锅安装于管式电阻炉的铂金管道中，然后用N₂气排除铂金管道中的空气，在温度770～820℃，通HF气下，反应处理1～5小时，反应处理结束，关闭HF气体与管式电阻炉，用N₂气清洗管道中残留的HF气体，得到多晶粉料。

3)、用坩锅下降法进行晶体生长，将上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，然后置于Pt坩埚中并压实，密封Pt坩埚；密封就隔绝了空气和水汽，使得晶体生长过程中与空气和水汽隔绝，使生长的Er/Yb掺杂NaYF₄单晶体品质高；

4)、将密封的Pt坩埚置于硅钼棒炉中，用坩埚下降法生长晶体，生长晶体的参数为：炉体温度为960～1010℃，接种温度为850～870℃，固液界面的温度梯度为20～80℃/cm，下降坩锅进行晶体生长的速度为0.2～2.0mm/h。晶体生长结束后，采用原位退火，以20～80℃/h下降炉温至室温，得到Er³⁺/Yb³⁺掺杂NaYF₄单晶体。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于步骤1)中所述的NaF、YF₃、ErF₃与YbF₃的纯度均大于99.99％。