[发明专利]一种室温下吸除硅晶片或硅器件中过渡金属杂质的方法

权利要求书

1.一种吸除硅晶片或硅器件中过渡金属杂质的方法，在室温下对硅晶片或硅器件进行剂量小于5000Gy低剂量电子辐照，使硅晶片待清洁区或硅器件有源区内的过渡金属杂质向附近的吸杂缺陷区扩散，从而降低硅晶片待清洁区或硅器件有源区内的过渡金属杂质的浓度；其中，所述硅晶片待清洁区是指在硅晶片表面下深度小于5微米的区域；所述附近的吸杂缺陷区是指与硅晶片待清洁区或硅器件有源区边缘距离小于3微米的吸杂缺陷区。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在原有缺陷区的基础上对硅晶片或硅器件进行电子辐照后，如果无法达到预期的吸杂效果，则对硅晶片或硅器件的原有缺陷区进行改造或引入新缺陷区，然后再进行电子辐照，最终满足吸杂要求。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，采用下述方法中的一种或多种对硅晶片待清洁区或硅器件有源区附近的原有缺陷区进行改造：在硅晶片或未封装硅器件表面进行清洁、氧化或钝化处理；改变器件制造过程中离子注入和/或退火的参数。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，采用下述方法中的一种或多种在硅晶片待清洁区或硅器件有源区附近引入新的缺陷区：在硅晶片或硅器件的表面喷沙、磨损；刻蚀各种沟、槽、洞；离子注入或轰击；等离子体处理；进行激光或非相干光辐照；进行附加的扩散和/或合金过程。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子辐照采用电子加速器或β射线辐射源进行。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述β射线辐射源是³²P、⁹⁰Sr、⁹⁰Y或¹⁴⁷Pm。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，电子辐照的能量为0.01～100MeV，剂量率为1～1000Gy/s，辐照剂量为1～5000Gy。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，电子辐照的辐照剂量为1～1000Gy。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，电子辐照的辐照剂量为1～500Gy。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，电子辐照的能量为0.1～10MeV。