[发明专利]一种铟镓锌氧化物半导体薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种铟镓锌氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a）分别制备乙酰丙酮镓的乙醇溶液、乙酰丙酮锌水合物的乙醇溶液和乙酰丙酮铟的四氢呋喃溶液；

b）将步骤a）所得的三种溶液进行混合，制得铟镓锌氧化物的前驱体溶液；

c）将步骤b）所得的前驱体溶液混合均匀；

d）将步骤c）所得的前驱体溶液沉积在基板材料上，制得铟镓锌氧化物半导体薄膜；

e）将步骤d)所得的铟镓锌氧化物半导体薄膜进行退火处理，即得所需的铟镓锌氧化物半导体薄膜。

2.如权利要求1所述的铟镓锌氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤b）中，按照所述前驱体溶液中所需的镓、锌和铟的摩尔比，量取对应体积比的乙酰丙酮镓的乙醇溶液、乙酰丙酮锌水合物的乙醇溶液、乙酰丙酮铟的四氢呋喃溶液进行混合。

3.如权利要求1所述的铟镓锌氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤c）中，将步骤b）所得的前驱体置于室温和氮气环境下进行磁力搅拌20～30分钟，然后加热至60～70℃备用。

4.如权利要求1所述的铟镓锌氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述d）中，所述沉积为：采用旋涂法或喷墨印刷法将前驱体溶液沉积在基板材料上；所述基板材料包括硅片、玻璃基板或二氧化硅基板；所述铟镓锌氧化物半导体薄膜的厚度为5～100纳米。

5.如权利要求1所述的铟镓锌氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤e）中，所述退火处理为：将所得的铟镓锌氧化物半导体薄膜在空气气氛下加热1.5～2.5小时，加热温度为340～600℃。

6.一种铟镓锌氧化物晶体管的制备方法，包括如下步骤：

a）选取基板材料和栅电极材料，在所述栅电极材料的表面形成二氧化硅，作为绝缘层；

b）在所述绝缘层上利用溶液法制备铟镓锌氧化物半导体薄膜；

c）采用热蒸镀或溅射法，通过一层掩膜板在步骤b）所得的铟镓锌氧化物半导体薄膜上分别沉积源电极和漏电极；其特征在于，

所述溶液法为如权利1～8中的任一项的铟镓锌氧化物半导体薄膜的制备方法。

7.如权利要求6所述的铟镓锌氧化物晶体管的制备方法，所述步骤a）中，所述基板材料为无碱玻璃，栅电极材料为金属、导电金属氧化物或导电高分子；所述栅电极材料通过热蒸镀工艺或磁控溅射工艺沉积在无碱玻璃上；所述二氧化硅通过等离子体增强化学气相沉积法沉积在所述栅电极材料上。

8.如权利要求6所述的铟镓锌氧化物晶体管的制备方法，所述步骤a）中，所述基板材料为重掺杂的晶向为<100>的硅片；所述硅片作为栅电极材料；所述二氧化硅通过热生长方法形成在所述硅片的表面。

9.如权利要求6所述的铟镓锌氧化物晶体管的制备方法，所述步骤c）中，所述源电极和所述漏电极为金属、导电金属氧化物或导电高分子。

10.如权利要求6所述的铟镓锌氧化物晶体管的制备方法，所述金属的材质为铝或银；所述导电金属氧化物的材质为铟锡金属氧化物。