[发明专利]基板的剥离装置和剥离方法以及电子器件的制造方法有效
| 申请号: | 201410035652.9 | 申请日: | 2014-01-24 |
| 公开(公告)号: | CN103972133B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
| 发明(设计)人: | 伊藤泰则;宇津木洋;泷内圭 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 剥离 装置 方法 以及 电子器件 制造 | ||
1.一种基板的剥离装置,其通过使基板和加强上述基板的加强板中的至少一者挠曲变形而沿着从一端侧朝向另一端侧的剥离方向对上述基板与上述加强板之间的交界面依次进行剥离,其中,
该基板的剥离装置包括剥离部件,该剥离部件具有:挠性板,其用于吸附保持上述基板或上述加强板;和驱动部件,其通过至少在剥离开始时向上述挠性板施加与上述交界面平行的方向的力而使上述基板和上述加强板中的一者与上述挠性板一同挠曲变形。
2.根据权利要求1所述的基板的剥离装置,其中,
上述剥离部件包括:
支承部件,其用于支承包括上述基板以及上述加强板在内的层叠体的第1主表面;
上述挠性板,其用于吸附保持上述层叠体的第2主表面;和
上述驱动部件,其通过向上述挠性板的位于吸附面的相反面侧的沿着上述交界面的方向与上述挠性板的吸附面分开的位置施加与上述交界面平行的方向的力而使上述基板和上述加强板中的一者与上述挠性板一同挠曲变形。
3.根据权利要求1或2所述的基板的剥离装置,其中,
上述基板是厚度为0.2mm以下的玻璃基板。
4.根据权利要求1或2所述的基板的剥离装置,其中,
在上述挠性板的吸附面的相反面设有用于限制上述挠性板的挠曲变形量的限制构件,
上述限制构件从上述挠性板的开始挠曲变形的一端部朝向另一端部设置。
5.根据权利要求3所述的基板的剥离装置,其中,
在上述挠性板的吸附面的相反面设有用于限制上述挠性板的挠曲变形量的限制构件,
上述限制构件从上述挠性板的开始挠曲变形的一端部朝向另一端部设置。
6.根据权利要求4所述的基板的剥离装置,其中,
上述限制构件通过从上述一端部朝向上述另一端部配设多个刚性比上述挠性板刚性高的块而构成,该多个块之间隔有规定的间隙,
上述规定的间隙设定为与限制上述挠曲变形量的限制量相当的间隙。
7.根据权利要求5所述的基板的剥离装置,其中,
上述限制构件通过从上述一端部朝向上述另一端部配设多个刚性比上述挠性板刚性高的块而构成,该多个块之间隔有规定的间隙,
上述规定的间隙设定为与限制上述挠曲变形量的限制量相当的间隙。
8.一种基板的剥离方法,其通过使基板和加强上述基板的加强板中至少一者挠曲变形而沿着从一端侧朝向另一端侧的剥离方向对上述基板与上述加强板之间的交界面依次进行剥离,其中,
该基板的剥离方法包括通过由挠性板吸附保持上述基板或上述加强板并至少在剥离开始时向上述挠性板施加与上述交界面平行的方向的力而使上述基板和上述加强板中的一者与上述挠性板一同挠曲变形从而对上述交界面进行剥离的剥离工序。
9.根据权利要求8所述的基板的剥离方法,其中,
上述剥离工序包括:
由支承部件支承包括上述基板以及上述加强板在内的层叠体的第1主表面并且由上述挠性板吸附保持上述层叠体的第2主表面的工序;和,
通过由驱动部件向上述挠性板的位于吸附面的相反面侧的沿着上述交界面的方向与上述挠性板的吸附面分开的位置施加与上述交界面平行的方向的力而使上述基板和上述加强板中的一者与上述挠性板一同挠曲变形从而对上述交界面进行剥离的工序。
10.根据权利要求8或9所述的基板的剥离方法,其中,
上述基板是厚度为0.2mm以下的玻璃基板。
11.根据权利要求8或9所述的基板的剥离方法,其中,
上述挠性板以由限制构件限制挠曲变形量的方式进行挠曲变形,上述限制构件设置在上述挠性板的吸附面的相反面,并从上述挠性板的开始挠曲变形的一端部朝向另一端部设置。
12.根据权利要求10所述的基板的剥离方法,其中,
上述挠性板以由限制构件限制挠曲变形量的方式进行挠曲变形,上述限制构件设置在上述挠性板的吸附面的相反面,并从上述挠性板的开始挠曲变形的一端部朝向另一端部设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





