[发明专利]三维导线的装置和方法

权利要求书

1.一种层级间存储列，包括：

第一段，设置在三维集成电路(3D IC)的第一层级内，所述第一段包括第一位线、第一反相位线、和多个第一存储单元，所述多个第一存储单元设置在所述第一位线和所述第一反相位线之间，并且连接至所述第一位线和所述第一反相位线；

第二段，设置在所述三维集成电路的第二层级内，包括第二位线、第二反相位线、和多个第二存储单元，所述多个第二存储单元设置在所述第二位线和所述第二反相位线之间，并且连接至所述第二位线和所述第二反相位线；以及

其中，所述第一位线连接至所述第二位线，并且所述第一反相位线连接至所述第二反相位线，

其中，所述第一位线分段设置并且包括第一位线部分和第二位线部分，所述第二位线分段设置并且包括第三位线部分和第四位线部分。

2.根据权利要求1所述的层级间存储列，其中，所述第一段和所述第二段彼此平行地对准。

3.根据权利要求1所述的层级间存储列，还包括：

层级间字线，连接穿过所述第一段和所述第二段。

4.根据权利要求1所述的层级间存储列，其中：

所述第一位线包括：所述第一位线部分和横向偏移的所述第二位线部分，所述第二位线包括：所述第三位线部分和横向偏移的所述第四位线部分；以及

通过纵向位线连接横向偏移的所述第二位线部分和横向偏移的所述第四位线部分。

5.根据权利要求4所述的层级间存储列，其中：

所述第一反相位线包括：第一反相位线部分和横向偏移第二反相位线部分，所述第二反相位线包括：第三反相位线部分和横向偏移第四反相位线部分；以及

通过纵向位线连接所述横向偏移第二反相位线部分和所述横向偏移第四反相位线部分。

6.根据权利要求1所述的层级间存储列，其中，所述第一位线和所述第二反相位线设置在所述多个第一存储单元和所述多个第二存储单元的第一侧上，并且所述第二位线和所述第一反相位线设置在所述多个第一存储单元和所述多个第二存储单元的第二侧上。

7.根据权利要求6所述的层级间存储列，其中：

所述第一位线包括：所述第一位线部分和横向偏移的所述第二位线部分，所述第二位线包括：所述第三位线部分和垂直的所述第四位线部分；以及

通过纵向位线连接横向偏移的所述第二位线部分和垂直所述的第四位线部分。

8.根据权利要求7所述的层级间存储列，其中：

所述第一反相位线包括：第一反相位线部分和横向偏移第二反相位线部分，所述第二反相位线包括：第三反相位线部分和垂直第四反相位线部分；以及

通过纵向位线连接所述横向偏移第二反相位线部分和所述垂直第四反相位线部分。

9.一种三维集成电路(3D IC)，包括：

第一存储单元段和第二存储单元段，设置在所述三维集成电路的第一层级内；

第三存储单元段和第四存储单元段，设置在所述三维集成电路的第二层级内；

层级间导线，连接在所述第一层级中的至少一段和所述第二层级中的至少一段之间；以及

其中，每一个存储单元段都包括第一位线、第二位线、和至少一个存储单元，所述至少一个存储单元设置在所述第一位线和所述第二位线之间，并且连接至所述第一位线和所述第二位线，

其中，所述第一位线和所述第二位线均分段设置并且均包括两个部分。

10.根据权利要求9所述的三维集成电路，其中，所述层级间导线是字线。

11.根据权利要求9所述的三维集成电路，其中，所述层级间导线是通过将所述第一存储单元段的第一位线和第二位线与所述第四存储单元段的相应位线连接而形成的位线。

12.根据权利要求11所述的三维集成电路，其中，所述第二存储单元段的第一位线和第二位线与所述第三存储单元段的相应位线连接。

13.根据权利要求12所述的三维集成电路，还包括：

第五存储单元段和第六存储单元段，设置在所述三维集成电路的第三层级内；

其中，所述第五存储单元段连接至所述第一存储单元段和所述第三存储单元段，并且所述第六存储单元段连接至所述第二存储单元段和所述第四存储单元段。