[发明专利]一种铝刻蚀方法及装置有效
| 申请号： | 201410032415.7 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104810279B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李方华 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 铝层 硅渣 干法去除 残留 干法 腔内 功率元器件 产品报废 干法刻蚀 光刻胶层 刻蚀步骤 铝层表面 湿法刻蚀 有效地 点状 停顿 吸收 | ||
1.一种铝刻蚀方法，其特征在于，包括：
利用湿法刻蚀具有光刻胶层的铝层；
利用干法去除所述铝层中残留的硅渣，并立即在同一个腔内对所述铝层进行干法刻蚀；
其中，在所述利用湿法刻蚀具有光刻胶层的铝层之后，且在所述利用干法去除所述铝层中残留的硅渣之前，还包括：
利用紫外光照射所述光刻胶层100至150秒，并加热至120至140摄氏度固胶。
2.根据权利要求1所述的铝刻蚀方法，其特征在于，所述利用干法去除所述铝层中残留的硅渣包括：
将氧气及四氟化碳混合气体通入所述铝层表面，使腔内压力达到35至45mtorr；利用射频将所述混合气体电离，形成含氟、氧的等离子气体；令所述含氟、氧的等离子气体与铝层中残留的硅渣反应4至6分钟，抽去反应后残留气体。
3.根据权利要求1或2所述的铝刻蚀方法，其特征在于，所述对所述铝层进行干法刻蚀包括：
将氯气、三氯化硼和三氟甲烷混合气体通入所述铝层表面；待压力稳定后利用射频将所述混合气体电离，直至反应完成。
4.一种铝刻蚀系统，其特征在于，包括：湿法刻蚀单元和干法除硅渣刻蚀单元，其中：
湿法刻蚀单元，用于利用湿法刻蚀具有光刻胶层的铝层；
干法除硅渣刻蚀单元，用于利用干法去除所述铝层中残留的硅渣，并立即在同一个腔内对所述铝层进行干法刻蚀；
固胶单元，连接在湿法刻蚀单元和干法除硅渣刻蚀单元之间，用于利用紫外光照射所述光刻胶层100至150秒，并加热至120至140摄氏度固胶。
5.根据权利要求4所述的铝刻蚀系统，其特征在于，所述干法除硅渣刻蚀单元包括：
除硅渣子单元，用于利用干法去除所述铝层中残留的硅渣：将氧气及四氟化碳混合气体通入所述铝层表面，使腔内压力达到35至45mtorr；利用射频将所述混合气体电离，形成含氟、氧的等离子气体；令所述含氟、氧的等离子气体与铝层中残留的硅渣反应4至6分钟，抽去反应后残留气体。
6.根据权利要求4所述的铝刻蚀系统，其特征在于，所述干法除硅渣刻蚀单元包括：
干法刻蚀子单元，用于对所述铝层进行干法刻蚀：将氯气、三氯化硼和三氟甲烷混合气体通入所述铝层表面；待压力稳定后利用射频将所述混合气体电离，直至反应完成。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的铝刻蚀系统，其特征在于，所述干法除硅渣刻蚀单元为：各向异性刻蚀机台。
8.根据权利要求4至6中任一项所述的铝刻蚀系统，其特征在于，所述干法除硅渣刻蚀单元为：AME8330。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410032415.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：场效应管的制造方法
- 下一篇：半导体器件的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
