[发明专利]具有三个用于行选择的器件驱动器的三维非易失性存储器

权利要求书

1.一种非易失性存储系统，包括：

以块为单位布置的存储器胞元的单片三维存储器阵列，所述存储器阵列包括块之间的间隙；

连接到所述存储器胞元的多个字线；

连接到所述存储器胞元的多个垂直定向位线；

多个全局位线；

在基板上方并且不在基板中的多个垂直定向选择器件，所述多个垂直定向选择器件连接到所述垂直定向位线和所述全局位线，并且选择性地使所述垂直定向位线与所述全局位线通信；

连接到所述垂直定向选择器件并且用于控制所述垂直定向选择器件的多个行选择线；以及

连接到所述行选择线并且驱动所述行选择线的行选择线驱动器，每个行选择线驱动器包括分布在块之间的不同间隙中的多个部件。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：

每个行选择线驱动器包括分布在块之间的不同间隙中的三个晶体管。

3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储系统，其中：

每个行选择线驱动器包括分布在块之间的相邻间隙中的多个部件。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的非易失性存储系统，其中：

用于不同的选择线驱动器的部件被定位在块之间的交错的间隙中。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的非易失性存储系统，其中：

所述块之间的间隙是字线断裂；以及

所述行选择线驱动器中的每个包括被定位在不同字线断裂中的三个晶体管。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的非易失性存储系统，其中：

仅有与所述行选择线正交的一个信号线位于所述间隙中。

7.根据权利要求1-6中的任一项所述的非易失性存储系统，其中：

针对所述行选择线驱动器，所述间隙中的每个包括来自所述行选择线驱动器之一的仅仅一个部件。

8.根据权利要求1-7中的任一项所述的非易失性存储系统，其中：

每个行选择线驱动器的源极输入是所述全局字线之一。

9.根据权利要求1-8中的任一项所述的非易失性存储系统，还包括：

被定位在仅在与PMOS晶体管的其它相邻间隙之间的间隙中的电源线；以及

被定位在仅在与NMOS晶体管的其它相邻间隙之间的间隙中的地线。

10.根据权利要求1-9中的任一项所述的非易失性存储系统，其中：

所述行选择线驱动器在所述基板中；

所述存储器胞元在所述基板上方并且不在所述基板中；

所述垂直定向位线在所述基板上方并且不在所述基板中；以及

所述垂直定向选择器件在所述基板上方并且不在所述基板中。

11.根据权利要求1-10中的任一项所述的非易失性存储系统，其中：

所述行选择线驱动器中的每个包括第一nmos晶体管、第二nmos晶体管和pmos晶体管；

所述第一nmos晶体管连接在相关联的全局字线和相关联的行选择线之间；

所述pmos晶体管连接在所述相关联的全局字线和所述相关联的行选择线之间；以及

所述第二nmos晶体管连接在所述相关联的行选择线和地之间。

12.根据权利要求11所述的非易失性存储系统，其中：

当选择了所述相关联的全局字线并且选择了所述相关联的行选择线时，电流从所述相关联的全局字线通过所述pmos晶体管流到所述相关联的行选择线；

当未选择所述相关联的全局字线而选择了所述相关联的行选择线时，所述相关联的全局字线通过所述第一nmos晶体管将所述相关联的行选择线下拉到地；以及

当未选择所述相关联的行选择线时，通过所述第二nmos晶体管将所述相关联的行选择线下拉到地。

13.根据权利要求1-12中的任一项所述的非易失性存储系统，其中：

所述字线包括字线的组，字线的每个组包括连接在一起的多个字线；以及

行选择线连接到所述垂直定向选择器件的集合，所述垂直定向选择器件连接到所述垂直定向位线的集合，所述垂直定向位线连接到存储器胞元，所述存储器胞元还连接到字线的特定组中的仅仅一个字线。