[发明专利]布线基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及布线基板的制造方法。

背景技术

一直以来，布线基板的布线的微细化在不断进行。为了应对布线的微细化，在以往的布线基板中，较多使用下述半加成法：在绝缘层上形成化学铜镀层，然后在该化学铜镀层上用干膜形成规定的图案，形成电镀铜层。

在半加成法中，在剥离干膜后，为了去除通过该剥离而露出的化学铜镀层会进行湿式蚀刻。然而，该湿式蚀刻会导致产生布线的下部被蚀刻的底切、布线自身变细的布线变细。其结果，布线进一步的微细化变难。

因此，提出了下述方案：在绝缘层上涂布含有化学镀的催化剂（Pd）的光刻胶，图案化为期望的形状，然后以仅在形成布线的区域残留催化剂的状态进行化学镀，由此形成布线（例如参见专利文献1）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平05-206121号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在专利文献1所提出的方法中，虽然对布线的形成方法进行了公开，但是对连接布线层和布线层的通道（via）的形成方法没有进行任何公开。因此，在专利文献1所提出的方法中，仅能够得到布线层为1层的布线基板。

本发明是应对上述情况而进行的，其目的在于提供一种具有应对了微细化的通道的布线基板的制造方法。

用于解决问题的方案

为了达成上述目的，本发明的特征在于，其按顺序具有下述工序：于绝缘层形成通孔（via hole）的工序；在前述通孔内填充导体材料而形成通孔导体的工序；在前述绝缘层上形成主催化剂层的工序；在前述主催化剂层上形成呈期望的图案且具有第1开口的掩模的工序；通过化学镀法在从前述第1开口露出的前述主催化剂层上形成主导体层的工序；剥离前述掩模的工序；以及，去除由于前述掩模的剥离而露出的部分的前述主催化剂层的工序。

根据本发明，在去除主催化剂层时，能够抑制成为布线的主导体层的下部被蚀刻的底切、布线自身变细的布线变细产生。另外，由于在主导体层的形成之前形成了通孔导体，因此能够抑制在通孔导体中产生填充不良。

在本发明的一个实施方式中，其特征在于，其按顺序具有下述工序：于绝缘层形成通孔的工序；在前述通孔内填充导体材料而形成通孔导体的工序；在前述绝缘层上形成主催化剂层的工序；在前述主催化剂层上形成呈期望的图案且具有第2开口的掩模的工序；去除前述主催化剂层中从前述掩模露出的部分的工序；剥离前述掩模的工序；以及，通过化学镀法在前述主催化剂层上形成主导体层的工序。

根据本发明的一个实施方式，在去除主催化剂层时，能够抑制布线的下部被蚀刻的底切、布线自身变细的布线变细产生。

在本发明的另一个实施方式中，其特征在于，前述形成通孔导体的工序具有下述工序：在包括前述通孔的内壁面的前述绝缘层上形成副催化剂层的工序；通过化学镀法在前述副催化剂层上形成副导体层的工序；以及，去除在除前述通孔内部以外的区域形成的前述副导体层，在前述通孔内形成前述通孔导体的工序。

根据本发明的另一个实施方式，能够可靠地形成无填充不良的通孔导体。

在本发明的另一个实施方式中，其特征在于，前述形成通孔导体的工序具有下述工序：在包括前述通孔的内壁面的前述绝缘层上形成副催化剂层的工序；去除在前述通孔的内壁面以外的区域形成的前述副催化剂层工序；以及，通过化学镀法在于前述通孔的内壁面形成的前述副催化剂层上形成前述通孔导体的工序。

根据本发明的另一个实施方式，由于在形成通孔导体之前去除副催化剂层，因此没有通孔导体被蚀刻之虞。

在本发明的另一个实施方式中，其特征在于，在前述形成通孔的工序中，通过在前述绝缘层上具有保护层的状态下形成贯通前述保护层和前述绝缘层的贯通孔，从而形成前述通孔，在前述形成副催化剂层的工序中，在前述通孔的内壁面和前述保护层的表面形成前述副催化剂层，通过去除前述保护层，从而去除在前述通孔的内壁面以外的区域形成的前述副催化剂层。