[发明专利]闪存的制造方法

说明书

本发明提出了一种闪存的制造方法，将浮栅仅仅形成在浅槽隔离的表面，不再横跨浅槽隔离以及氧化层的表面，在后续对控制栅进行刻蚀时，无需再刻蚀所述浮栅，因此被刻蚀层的均匀性较佳，致使刻蚀易于控制，避免对半导体衬底造成损伤或者留下残留物，从而提高闪存的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种闪存的制造方法。

背景技术

闪存作为一种主要的非挥发性存储器，其在智能卡、微控制器等领域有着广泛的用途。

请参考图1a至图3a和图1b至图3b，图1a至图3a为现有技术中闪存制造过程中的俯视图，图1b至图3b为图1a至图3b沿虚线的剖面示意图；现有技术中的闪存制造方法包括：

S1：提供半导体衬底10，所示半导体衬底10中形成有浅槽隔离(STI)20，在所述半导体10的表面形成有氧化层11，如图1a和图1b所示；

S2：在所述浅槽隔离20以及氧化层11的表面形成条形的浮栅(Floating Gate，FG)30，所述浮栅30横跨所述浅槽隔离20和氧化层11的表面，如图1a和图1b所示；

S3：在所述浮栅30和氧化层11的表面依次形成介质层40以及控制栅50，如图2a和图2b所示；

S4：依次刻蚀所述控制栅50、介质层40以及位于氧化层11表面的浮栅30，暴露出所述氧化层11，如图3a所示。

然而，由于在步骤S4中，在控制栅50、介质层40以及位于氧化层11表面的浮栅30时，由于整个控制栅50的表面不平，并且在有些区域仅存在一层控制栅50，因此，在刻蚀时无法精确的控制刻蚀的程度，若刻蚀程度不足时(Under Etch)，易在所述氧化层11的表面遗留残留物60，如图3b所示；若刻蚀程度较深时(Over Etch)，由于所述氧化层11较薄，通常极易被刻蚀掉，从而对所述半导体衬底10造成损伤。

综上，现有技术中的闪存制造方法工艺窗口较窄，无法满足工艺的需要。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存的制造方法，能够避免上述问题，增大工艺窗口。

为了实现上述目的，本发明提出了一种闪存的制造方法，包括步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中设有浅槽隔离，所述半导体衬底表面设有氧化层；

在所述浅槽隔离表面形成浮栅；

后续依次形成介质层和控制栅。

进一步的，形成浮栅的步骤包括：

在所述氧化层以及浅槽隔离的表面形成浮栅层；

刻蚀所述浮栅层，暴露出所述氧化层，形成浮栅，使所述浮栅位于所述浅槽隔离的表面。

进一步的，形成介质层和控制栅的步骤包括：

在所述浮栅、浅槽隔离和氧化层的表面依次形成介质层和控制栅层；

依次刻蚀所述控制栅层和介质层，暴露出所述氧化层的表面。

进一步的，所述半导体衬底为硅衬底。

进一步的，所述浅槽隔离为氧化物。

进一步的，所述浮栅为多晶硅。

进一步的，所述介质层为氧化硅-氮化硅-氧化硅的组合。

进一步的，所述控制栅为多晶硅。