[发明专利]闪存的制造方法

权利要求书

1.一种闪存的制造方法，包括步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中设有浅槽隔离，所述半导体衬底表面设有氧化层；

在所述浅槽隔离表面形成浮栅，所述浮栅仅位于所述浅槽隔离的表面，以使后续对控制栅进行刻蚀时无需再刻蚀所述浮栅；

后续依次形成介质层和控制栅。

2.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，形成浮栅的步骤包括：

在所述氧化层以及浅槽隔离的表面形成浮栅层；

刻蚀所述浮栅层，暴露出所述氧化层，形成浮栅，使所述浮栅位于所述浅槽隔离的表面。

3.如权利要求2所述的闪存的制造方法，其特征在于，形成介质层和控制栅的步骤包括：

在所述浮栅、浅槽隔离和氧化层的表面依次形成介质层和控制栅层；

依次刻蚀所述控制栅层和介质层，暴露出所述氧化层的表面。

4.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。

5.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，所述浅槽隔离为氧化物。

6.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，所述浮栅为多晶硅。

7.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅-氮化硅-氧化硅的组合。

8.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，所述控制栅为多晶硅。