[发明专利]固态成像设备及其制造方法有效
申请号: | 201410013400.6 | 申请日: | 2014-01-13 |
公开(公告)号: | CN103928479B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 栗原政树;下山大辅 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 设备 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及诸如CCD传感器和CMOS传感器的固态成像设备(固态图像感测装置),以及该固态成像设备的制造方法。
背景技术
如下这样的固态成像设备的技术是期望的,即该固态成像设备提高了对于光接收部的光聚集效率,并且更高效地使入射光尤其通过锐角聚集至光接收部。例如,近年来,具有如下结构的固态成像设备被提出,在该结构中,在对应于光接收部的周边的区域中形成中空部,并且通过使用在该中空部的边界表面上的反射来提高对于光接收部的光聚集效率(例如,参见日本专利申请特开No.2010-4018中的图23)。
具体而言,在日本专利申请特开No.2010-4018中,公开了如下技术,该技术在各滤色器之间形成上述中空部,各滤色器在各光接收部的上部部分中与各光接收部对应地设置,如图23中所示。关于更多细节,在日本专利申请特开No.2010-4018的图23中,示出R、G和B的滤色器,它们是所谓的基色系统的滤色器,并且中空部被形成为围绕R和B的滤色器的周边。
但是,根据以上描述的日本专利申请特开No.2010-4018中的技术,已经存在如下情况,即在固态成像设备的制造过程中的清洁步骤、固态成像设备的热冲击测试等中发生滤色器(具体地,R和B的滤色器)的剥离。
本发明提供了如下的一种固态成像设备,该固态成像设备可抑制在各滤色器之间设置有中空部的固态成像设备中的各滤色器的剥离,并且提供了该固态成像设备的制造方法。
发明内容
根据本发明的一个方面,在半导体基板的一个表面上具有多个光接收部的固态成像设备包括多个滤色器,该多个滤色器被与多个光接收部中的每一个对应地布置;以及在多个滤色器中的每一个周围形成的中空部,其中多个滤色器中的每一个具有接触多个滤色器中的相邻的一个或多个滤色器的一周边部分,并且具有在该中空部周围的其它周边部分。
参照附图阅读示例性实施例的以下描述,本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1是作为根据本发明的第一实施例的固态成像设备(固态图像感测装置)的一个配置的各滤色器的俯视平面图。
图2A和2B是图1中示出的区域A的放大示图。
图3A、3B、3C、3D和3E是示出根据本发明的第一实施例的固态成像设备(固态图像感测装置)的制造方法的一个示例的示意图。
图4是作为根据本发明的第二实施例的固态成像设备(固态图像感测装置)的一个配置的各滤色器的俯视平面图。
图5是作为根据本发明的第三实施例的固态成像设备(固态图像感测装置)的一个配置的各滤色器的俯视平面图。
图6是作为根据本发明的第四实施例的固态成像设备(固态图像感测装置)的一个配置的各滤色器的俯视平面图。
具体实施方式
现在将参照附图详细描述本发明的优选实施例。
(第一实施例)
首先,以下将描述本发明的第一实施例。
图1是作为根据本发明的第一实施例的固态成像设备(固态图像感测装置)的一个配置的滤色器5至7中的每一个的俯视平面图。这里,在图1中作为一个示例示出9个像素的配置,其中在每个像素中设置第一滤色器5、第二滤色器6和第三滤色器7中的任一滤色器。第一滤色器5例如是绿色(G)滤色器,第二滤色器6例如是红色(R)滤色器,第三滤色器7例如是蓝色(B)滤色器。具体而言,在图1所示的示例中,所谓的Bayer(拜尔)阵列的示例被示出为滤色器的阵列。但是,在本实施例中,配置并不限于图1所示的模式,并且还可以是滤色器的其它阵列。
如图1所示,在多个滤色器5到7中的每一个周围形成中空部(空气间隙)9。在此情况下,多个滤色器5到7中的每一个具有与相邻的一个或多个滤色器相接触的一周边部分,并且该周边的全部周界不都被中空部9包围。换句话说,可以说多个滤色器5到7中的每一个具有在中空部分周围的其它周边部分。关于更多细节,在图1中所示的示例中,多个滤色器5到7中的每一个具有与相邻的一个或多个滤色器相接触的拐角区域。另外,从提高对于每个像素中设置的光接收部的光聚集效率的角度看,希望中空部9的宽度是0.1μm或更小。
图2A和2B是图1中所示的区域A的放大示图。
图2A示出如下情况,其中位于左下部的第三滤色器7与在右方向上相邻的第一滤色器5之间的边界线X长于中空部9的宽度的1/2的长度Y。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的