[发明专利]一种功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作方法有效
| 申请号： | 201380082039.6 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106030811B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;宋文龙;宋洵奕;顾鸿鸣;邹有彪;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 纵向 漂移 结构 制作方法 | ||
【说明书】：
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