[发明专利]用于制造太阳能电池的方法及由此制造的太阳能电池

说明书

本发明提供一种用于制造太阳能电池的方法及由此制造的太阳能电池，所述方法包括以下步骤：通过在衬底的一个表面上进行局部第一杂质掺杂以形成电极图案及对准标记；以及在第一掺杂衬底的整个表面上进行第二杂质掺杂，其中由于第一掺杂及第二掺杂，在第一发射极或第二发射极上形成对准标记并且在第二发射极上形成电极图案。当制造选择性发射极时，通过掺杂工艺形成对准标记。使用对准标记可以增加选择性发射极中形成的电极图案与所得电极线的匹配。另外，具有选择性发射极的太阳能电池具有极好的转换效率及高填充因数值。

技术领域

本发明是关于一种用于制造太阳能电池的方法及由此制造的太阳能电池，并且更确切地说，是关于一种用于制造包含选择性发射极的太阳能电池的方法及由此制造的太阳能电池。

背景技术

太阳能电池包含分别由不同导电类型(conductive type)的半导体(如p型及n型半导体)形成的衬底(substrate)及发射极层(emitter layer)。此处，将发射极放置在衬底的光进入表面上，并且在衬底与发射极之间的界面处形成p-n结。

前电极在发射极的上表面上形成以便与发射极电连接，并且背电极在与光进入表面相反的衬底的另一表面上形成以便与衬底电连接。

当光进入此类太阳能电池时，半导体内的电子通过光电效应(photoelectriceffect)变成自由电子(free electron)(下文称为“电子”)，并且根据p-n结原理，电子及空穴分别朝向n型半导体及p型半导体(例如发射极及衬底)迁移。接着，电子及空穴朝向与衬底及发射极电连接的对应电极迁移。

在这一太阳能电池中，太阳能电池效率受发射极所掺杂(doping)的掺杂剂(dopant)的浓度影响。举例来说，当发射极所掺杂的掺杂剂处于低浓度时，即当发射极作为轻掺杂部分形成时，电子及空穴的复合(recombination)减少，导致短路电流密度(Jsc)及开路电压(Voc)增加，而接触电阻增加，导致填充因数(Fill Factor)降低。相反，当发射极所掺杂的掺杂剂处于高浓度时，即当发射极作为重掺杂部分形成时，接触电阻降低，导致填充因数增加，而短路电流密度(Jsc)及开路电压(Voc)降低。

因此，近来已经研发可以利用轻掺杂及重掺杂部分的太阳能电池，例如包含选择性发射极的太阳能电池。

包含选择性发射极的太阳能电池具有如下结构，其中发射极由第一发射极部分(轻掺杂部分)及第二发射极部分(重掺杂部分)组成并且前电极在第二发射极部分上形成，因此与掺杂剂以均一浓度掺杂在发射极整个区域上的典型太阳能电池相比，展现增强的转换效率。

然而，在包含选择性发射极的太阳能电池中，当前电极并不完全在选择性重掺杂的第二发射极部分上形成时，并联电阻增加，导致填充因数减小并且因此太阳能电池效率劣化。

因此，需要一种对准印刷(aligned printing)方法，使得在将用于电极的组成物印刷在选择性发射极上时，印刷电极图案可更准确地粘结到第二发射极部分。

发明内容

技术问题

本发明的一个目标是提供一种用于制造太阳能电池的方法，其中对准标记是通过在选择性发射极制造中掺杂而形成，并且对准印刷(aligned printing)用于太阳能电池电极的组成物是使用对准标记来进行，由此增强在选择性发射极上形成的电极图案与所制备的电极线之间的匹配度(整合度)。

本发明的另一个目标是提供一种太阳能电池，其是通过如上文所阐述的方法制造并且因此展现极好的转换效率及填充因数。

以上及其它目标可以根据下文描述的本发明而实现。

技术解决方案