[发明专利]用于制造太阳能电池的方法及由此制造的太阳能电池有效
申请号: | 201380076690.2 | 申请日: | 2013-09-24 |
公开(公告)号: | CN105264302B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 金容贤;李知衍;李廷喆 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/068 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙仁*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 具有 选择性 发射极 太阳能电池 方法 由此 | ||
1.一种用于制造太阳能电池的方法,包括:
进行第一掺杂,其中掺杂剂局部掺杂在衬底的一个表面上以形成电极图案部分及对准标记;
进行第二掺杂,其中掺杂剂掺杂在所述衬底的经所述第一掺杂的表面上;
使用所述对准标记在所述电极图案部分上进行用于太阳能电池电极的组成物的对准印刷;以及
烘烤经印刷的所述组成物以形成前电极,
其中通过所述第一掺杂及所述第二掺杂,所述对准标记被形成为第一发射极部分或第二发射极部分,并且所述电极图案部分被形成为第二发射极部分。
2.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法,其中所述第一掺杂包括将掺杂膏印刷在所述衬底上以将掺杂剂植入所述衬底中。
3.根据权利要求2所述的用于制造太阳能电池的方法,还包括:
在所述第一掺杂后在250℃到350℃下退火1分钟到10分钟。
4.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法,其中所述第二掺杂包括在炉中在800℃到850℃下的气体掺杂以将掺杂剂植入所述衬底中。
5.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法,其中所述第一发射极部分的掺杂剂浓度低于所述第二发射极部分的掺杂剂浓度。
6.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法,其中所述第二发射极部分在所述衬底上所形成的厚度比所述第一发射极部分的厚度更大。
7.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法,其中进行所述第一掺杂使得所述对准标记与所述电极图案部分分离,并且所述电极图案部分及所述对准标记通过所述第二掺杂被形成为所述第二发射极部分。
8.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法,其中所述第一掺杂是在排除欲形成有所述对准标记的区域的所述电极图案部分的全部区域上进行,并且通过所述第二掺杂以使所述对准标记形成为在所述电极图案部分内局部形成的所述第一发射极部分并且所述电极图案部分形成为所述第二发射极部分。
9.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法,其中所述电极图案部分包括至少一种类型的电极图案。
10.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法,其中所述对准标记的数目介于1到6的范围内。
11.根据权利要求10所述的用于制造太阳能电池的方法,其中所述对准标记的数目是2、4或6,并且所述对准标记对称排列。
12.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法,其中所述对准标记具有规则或不规则的形状并且直径是0.2mm到2mm。
13.根据权利要求9所述的用于制造太阳能电池的方法,其中所述电极图案部分包括汇流条图案及指状条图案。
14.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法,其中所述衬底是p型衬底或n型衬底。
15.根据权利要求14所述的用于制造太阳能电池的方法,其中当所述衬底是p型衬底时,第5族元素用作掺杂剂,并且当所述衬底是n型衬底时,第3族元素用作掺杂剂。
16.一种太阳能电池,通过根据权利要求1到15中任一权利要求所述的用于制造太阳能电池的方法制造。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的