[发明专利]用于处理基底堆叠的保持系统、装置及方法有效
申请号: | 201380075117.X | 申请日: | 2013-03-27 |
公开(公告)号: | CN105074898B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | E.塔尔纳;P.林德纳 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 严志军;宣力伟 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 基底 堆叠 保持 系统 装置 方法 | ||
1.一种保持系统(1,20),其用于处理待与第二基底(13)接合的第一基底(4),所述保持系统具有:
-保持表面(1o,20o),其用于保持第一基底(4),以及
-至少一个凹口(2,21),相对于所述保持表面(1o,20o)凹入,用于保持磁性作用的附接机构,以用于相对于与所述第一基底(4)对准的第二基底(13)固定所述第一基底(4),
-其中,另外的磁体被应用在所述第二基底(13)的背对所述第一基底(4)的固持侧(13h)上;
其中,由所述第一基底(4)和所述第二基底(13)构成的基底堆叠(14)在省略所述保持系统(1,20)的情况下能够仅利用所述附接机构移动。
2.根据权利要求1所述的保持系统,其特征在于,所述凹口(2,21)设计为至少一个架,其布置在外周上,具有用于承坐所述附接机构的承坐区段(2o,21o),以及用于安装所述附接机构的朝承坐表面(1o,20o)的中心定向的安装区段(2o,21o)。
3.根据权利要求2所述的保持系统,其特征在于,所述承坐区段(2o,21o)相对于所述保持表面(1o,20o)倾斜小于60°的角度。
4.根据权利要求3所述的保持系统,其特征在于,所述承坐区段(2o,21o)相对于所述保持表面(1o,20o)倾斜小于45°的角度。
5.根据权利要求3所述的保持系统,其特征在于,所述承坐区段(2o,21o)相对于所述保持表面(1o,20o)倾斜小于30°的角度。
6.根据权利要求3所述的保持系统,其特征在于,所述承坐区段(2o,21o)相对于所述保持表面(1o,20o)倾斜小于15°的角度。
7.根据权利要求1所述的保持系统,其特征在于,所述凹口(2,21)均匀地布置分布在所述保持表面(1o,20o)的外周上。
8.用于处理基底堆叠(14)的装置,所述基底堆叠(14)由第一基底(4)和相对于所述第一基底(4)对准的第二基底(13)构成,所述装置具有磁性作用的附接机构,所述附接机构用于在对准的固定位置相对于所述第二基底(13)固定所述第一基底(4),其中,所述装置具有放置系统(6),其用于将所述附接机构放置在所述基底堆叠(14)的背对彼此的侧上,以及其中,所述基底堆叠(14)在省略保持系统的情况下能够仅利用所述附接机构移动。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述附接机构具有至少两对磁性元件(5p)。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,每一对磁性元件(5p)由磁活性的第一磁体和由所述第一磁体磁性吸引的第二磁体形成。
11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述第二磁体是磁活性的。
12.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述第一磁体和/或所述第二磁体设计为球形的形状。
13.根据权利要求10或12所述的装置,其特征在于,所述第一磁体和/或所述第二磁体至少主要地在所述固定位置由所述一对磁性元件(5p)产生的磁力附接至所述基底堆叠(14)。
14.根据权利要求13所述的装置,其特征在于,所述第一磁体和/或所述第二磁体完全地在所述固定位置由所述一对磁性元件(5p)产生的磁力附接至所述基底堆叠(14)。
15.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述装置具有根据权利要求1至7中的一项所述的保持系统。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于EV集团E·索尔纳有限责任公司,未经EV集团E·索尔纳有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380075117.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种管道滴漏检测听侦器
- 下一篇:油浸式变压器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造