[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅半导体器件，所述碳化硅半导体器件具有设置有半导体元件的元件部以及围绕所述元件部的终端部，所述碳化硅半导体器件包括：

碳化硅膜，所述碳化硅膜具有第一主表面以及与所述第一主表面相反的第二主表面，所述第二主表面具有在所述元件部中的元件形成表面以及在所述终端部中的终端表面，所述碳化硅膜具有第一范围，所述第一范围构成所述第一主表面以及与所述第一主表面相反的中间表面，所述碳化硅膜具有第二范围，所述第二范围设置在所述中间表面上并且构成所述元件形成表面，所述第一范围包括第一击穿电压保持层，所述第一击穿电压保持层具有第一导电类型，所述第一范围包括保护环区，所述保护环区部分地设置在所述终端部中的所述中间表面处、在所述中间表面处围绕所述元件部、并且具有第二导电类型，所述第二范围具有第二击穿电压保持层，所述第二击穿电压保持层具有所述第一导电类型，所述第二范围具有在所述终端部中仅具有所述第二击穿电压保持层的结构以及仅布置在所述元件部和所述终端部当中的所述元件部中的结构中的一种；

第一主电极，所述第一主电极面对所述第一主表面；以及

第二主电极，所述第二主电极面对所述第二主表面的所述元件形成表面。

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第一范围包括电荷补偿区，所述电荷补偿区部分地设置在所述元件部中的所述中间表面处、具有所述第二导电类型、并且具有低于所述保护环区的杂质浓度的杂质浓度。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体器件，其中，所述元件形成表面和所述终端表面设置在一个平面上。

4.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体器件，其中，所述终端表面被布置为从包括所述元件形成表面的虚拟面朝向所述第一主表面移位。

5.根据权利要求4所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第二范围覆盖所述保护环区。

6.根据权利要求4所述的碳化硅半导体器件，其中，所述保护环区位于所述终端表面中。

7.一种制造碳化硅半导体器件的方法，所述碳化硅半导体器件具有设置有半导体元件的元件部以及围绕所述元件部的终端部，所述碳化硅半导体器件包括碳化硅膜，所述碳化硅膜具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面，所述第二主表面具有在所述元件部中的元件形成表面以及在所述终端部中的终端表面，

所述制造碳化硅半导体器件的方法包括以下步骤：

形成第一范围，所述第一范围构成所述第一主表面以及与所述第一主表面相反的中间表面，形成所述第一范围的步骤包括：形成第一击穿电压保持层的步骤，以及在所述终端区中在所述中间表面处部分地形成保护环区的步骤，所述第一击穿电压保持层构成所述第一主表面和所述中间表面并且具有第一导电类型，所述保护环区在所述中间表面处围绕所述元件部并且具有第二导电类型；

在所述中间表面上，形成第二范围，所述第二范围构成所述元件形成表面，形成所述第二范围的步骤包括在形成所述保护环区的步骤之后，在所述中间表面上形成第二击穿电压保持层的步骤，所述第二击穿电压保持层具有所述第一导电类型，形成所述第二范围的步骤被执行为使得所述第二范围具有在所述终端部中仅具有所述第二击穿电压保持层的结构以及仅布置在所述元件部和所述终端部当中的所述元件部中的结构中的一种；

形成面对所述第一主表面的第一主电极；以及

形成面对所述第二主表面的所述元件形成表面的第二主电极。

8.根据权利要求7所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，形成所述第二范围的步骤包括以下步骤：通过在所述终端部中移除所述第二击穿电压保持层的至少一部分，来形成从包括所述元件形成表面的虚拟面朝向所述第一主表面移位的所述终端表面。