[发明专利]具有多个膜片电极的MEMS压力传感器在审
申请号: | 201380054960.X | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN104854436A | 公开(公告)日: | 2015-08-19 |
发明(设计)人: | A·B·格雷厄姆;A·费伊;B·格尔 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司;A·B·格雷厄姆;A·费伊;B·格尔 |
主分类号: | G01L9/00 | 分类号: | G01L9/00;B81C1/00;G01D5/241 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 郭毅 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 膜片 电极 mems 压力传感器 | ||
1.一种MEMS传感器,其包括:
第一层中的第一固定电极;
限界在所述第一固定电极上方的空腔;
在所述空腔上方延伸的膜片;
限界在所述膜片中并且基本上直接位于所述第一固定膜片上方的第一可移动电极;
至少部分地限界在所述膜片内并且至少部分直接位于所述空腔上方的第二可移动电极。
2.根据权利要求1所述的MEMS传感器,其中,所述第一可移动电极和所述第二可移动电极是同心的。
3.根据权利要求2所述的MEMS传感器,其还包括:所述第一层中的第二固定电极,所述第二固定电极至少部分地直接位于所述第二可移动电极下方。
4.根据权利要求2所述的MEMS传感器,其还包括:限界在所述膜片中并且直接位于所述空腔上方的第三可移动电极。
5.根据权利要求4所述的MEMS传感器,其还包括:所述第一层中的第二固定电极,所述第二固定电极至少部分地直接位于所述第二可移动电极下方;所述第一层中的并且直接在所述第三可移动电极下方的第三固定电极。
6.根据权利要求1所述的MEMS传感器,其中,所述第一可移动电极和所述第二可移动电极是叉指型的。
7.根据权利要求1所述的MEMS传感器,其中,所述第一可移动电极位于所述膜片的中央部分中;所述第二可移动电极位于所述膜片的外部部分中;所述膜片的外部部分环绕所述膜片的内部部分。
8.根据权利要求7所述的MEMS传感器,其还包括:
位于所述膜片的中央部分中的第三可移动电极;
位于所述膜片的外部部分中的第四可移动电极。
9.根据权利要求8所述的MEMS传感器,其还包括:
位于所述膜片的中央部分中的第五可移动电极;
位于所述膜片的中央部分中的第六可移动电极;
位于所述膜片的外部部分中的第七可移动电极;
位于所述膜片的外部部分中的第八可移动电极。
10.一种形成MEMS传感器的方法,其包括:
在第一层中形成第一固定电极;
在所述第一层上方形成膜片层;
在所述膜片层中并且基本上直接位于所述第一固定电极上方地形成第一可移动电极;
在所述膜片层中形成第二可移动电极;以及
在所述第一层和所述膜片层之间形成空腔,所述空腔在所述第一可移动电极下方并且至少部分地在所述第二可移动电极下方延伸。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,同心地形成所述第一可移动电极和所述第二可移动电极。
12.根据权利要求11所述的方法,其还包括:
在所述第一层中如此形成第二固定电极,使得所述第二可移动电极至少部分地直接位于所述第二固定电极上方。
13.根据权利要求11所述的方法,其还包括:
在所述膜片层中形成第三可移动电极,其中,形成所述空腔还包括在所述第三可移动电极下方形成空腔。
14.根据权利要求13所述的方法,其还包括:
在所述第一层中如此形成第二固定电极,使得所述第二可移动电极至少部分地直接位于所述第二固定电极上方;
在所述第一层中如此形成第三固定电极,使得所述第三可移动电极直接在所述第三可移动电极上方。
15.根据权利要求10所述的方法,其中,形成所述第一可移动电极和形成所述第二可移动电极包括形成叉指型的第一可移动电极和第二可移动电极。
16.根据权利要求10所述的方法,其中,
形成所述第一可移动电极包括在所述膜片层的中央部分中形成第一可移动电极;
形成所述第二可移动电极包括在所述膜片层的外部部分中形成第二可移动电极;
所述膜片层的外部部分环绕所述膜片层的内部部分。
17.根据权利要求16所述的方法,其还包括:
在所述膜片层的中央部分中形成第三可移动电极;
在所述膜片层的外部部分中形成第四可移动电极。
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