[发明专利]电子部件及其制法、密封材料糊、填料颗粒在审
申请号: | 201380053612.0 | 申请日: | 2013-10-09 |
公开(公告)号: | CN104823519A | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
发明(设计)人: | 内藤孝;立园信一;吉村圭;桥场裕司;青柳拓也;宫城雅德;儿玉一宗;泽井裕一;藤枝正;塚本武志;村上元 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H05B33/04 | 分类号: | H05B33/04;C03C8/24;C03C27/06;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;谢弘 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 部件 及其 制法 密封材料 填料 颗粒 | ||
1.一种电子部件,其特征在于:
具备至少任一方为透明的两个基板、配置于它们之间的有机构件和设置于所述两个基板的外周部的接合部,所述接合部含有低熔点玻璃和填料颗粒,所述低熔点玻璃含有氧化钒,所述填料颗粒含有低热膨胀材料和以2价的过渡金属为构成元素的氧化物,所述氧化物为分散于所述低热膨胀材料中的结构,所述低热膨胀材料的30~250℃的温度范围的热膨胀系数为5×10-7/℃以下。
2.如权利要求1所述的电子部件,其特征在于:
所述2价的过渡金属为Mn、Fe、Co、Ni和Cu中的一种以上。
3.如权利要求1所述的电子部件,其特征在于:
所述氧化物为MnWO4、FeWO4、CoWO4、NiWO4和CuWO4中的一种以上。
4.如权利要求1~3中任一项所述的电子部件,其特征在于:
所述低热膨胀材料为Zr2(WO4)(PO4)2、LiAlSiO4、SiO2和Mg2Al4Si5O18中的一种以上。
5.如权利要求3所述的电子部件,其特征在于:
所述低热膨胀材料为Zr2(WO4)(PO4)2,所述填料颗粒中的所述Zr2(WO4)(PO4)2的含量为80~98质量%。
6.如权利要求1~5中任一项所述的电子部件,其特征在于:
所述低熔点玻璃为含有V、Te、Fe和P的氧化物玻璃或含有V、Ag和Te的氧化物玻璃。
7.如权利要求1~6中任一项所述的电子部件,其特征在于:
相对于所述低熔点玻璃100体积份,所述填料颗粒的含量为10~100体积份。
8.一种填料颗粒,其特征在于:
含有低热膨胀材料和以2价的过渡金属为构成元素的氧化物,所述氧化物是分散于所述低热膨胀材料中的结构,所述低热膨胀材料的30~250℃的温度范围的热膨胀系数为5×10-7/℃以下。
9.如权利要求8所述的填料颗粒,其特征在于:
所述2价的过渡金属为Mn、Fe、Co、Ni和Cu中的一种以上。
10.如权利要求8所述的填料颗粒,其特征在于:
所述氧化物为MnWO4、FeWO4、CoWO4、NiWO4和CuWO4中的一种以上。
11.如权利要求8~10中任一项所述的填料颗粒,其特征在于:
所述低热膨胀材料为Zr2(WO4)(PO4)2、LiAlSiO4、SiO2和Mg2Al4Si5O18中的一种以上。
12.如权利要求10所述的填料颗粒,其特征在于:
所述低热膨胀材料为Zr2(WO4)(PO4)2,所述Zr2(WO4)(PO4)2的含量为80~98质量%。
13.一种密封材料糊,其特征在于:
含有权利要求8~12中任一项所述的填料颗粒、含氧化钒的低熔点玻璃颗粒和有机溶剂。
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