[发明专利]非挥发性存储器中的位线电压调整器

权利要求书

1.一种方法，其包含下列步骤：

在非挥发性存储器阵列中，提供用于写入操作的目标存储器单元；

在该写入操作期间，驱动耦合至该目标存储器单元的第一源极/漏极端子的第一位线至第一电压；

在该写入操作期间，驱动耦合至该目标存储器单元的第二源极/漏极端子的第二位线至第二电压；以及

在该目标存储器单元的该写入操作期间，驱动耦合至该非挥发性存储器阵列中的未标定毗邻存储器单元的第一源极/漏极端子的第三位线至第三电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该第三电压减少在该未标定存储器单元的该第一源极/漏极端子与该未标定毗邻存储器单元的第二源极/漏极端子之间的电场。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，该第二电压包含第一预定波形，而该第三电压包含第二预定波形，该第一及该第二预定波形相互偏移一预定电压差。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，该预定电压差小于在该未标定毗邻存储器单元致能写入操作的最小电压差。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，该第一预定波形包含在预定周期有递增电压的斜坡部分以及有实质恒定电压的稳定部分。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，该第二预定波形包含在预定周期有递增电压的斜坡部分以及有实质恒定电压的稳定部分。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，该第一电压包含第三预定波形，该第三预定波形含有电压增高的第一部分与电压减低的第二部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，电压增高的该第一部分与该第一预定波形的该斜坡部分实质相符，并且该第二部分与该第一预定波形的该稳定部分实质相符。

9.根据权利要求2所述的方法，其中，该未标定毗邻存储器单元的该第二源极/漏极端子对应至该目标存储器单元的该第二源极/漏极端子。

10.一种非挥发性存储器装置，其包含：

第一位线驱动器，其配置成在该目标存储器单元的写入操作期间，驱动耦合至目标存储器单元的源极/漏极端子的第一位线至第一电压；以及

第二位线驱动器，其配置成在该写入操作期间，驱动耦合至未标定毗邻存储器单元的第一源极/漏极端子的第二位线至第二电压，其中，该第二电压减少在该未标定毗邻存储器单元的该第一源极/漏极端子与第二源极/漏极端子之间的电场。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，该第一位线驱动器与该第二位线驱动器配置成该第一及该第二电压相互偏移一预定电压差，该预定电压差小于在该未标定毗邻存储器单元致能写入操作的最小电压差。

12.根据权利要求10所述的装置，其中，该目标存储器单元的该源极/漏极端子对应至该未标定毗邻存储器单元的该第二源极/漏极端子。

13.根据权利要求10所述的装置，其中，该第一位线驱动器配置成驱动该第一位线使得该第一电压包含第一预定斜坡波形，而该第二位线驱动器配置成驱动该第二位线使得该第二电压包含第二预定斜坡波形。

14.根据权利要求13所述的装置，其中，该第一位线驱动器配置成该第一预定斜坡波形包含在预定周期有递增电压的斜坡部分以及有实质恒定电压的稳定部分。

15.根据权利要求10所述的装置，进一步包含第三位线驱动器，其配置成在该目标存储器单元的该写入操作期间，驱动耦合至该目标存储器单元的第二源极/漏极端子的第三位线至源极偏压。

16.根据权利要求14所述的装置，其中，该第三位线驱动器配置成在该目标存储器单元的该写入操作期间，驱动该第三位线至初始第一电压，然后至减低电压。

17.一种方法，用以执行非挥发性存储器阵列中的目标存储器单元的写入操作，该方法包含下列步骤：

驱动耦合至该目标存储器单元的第一源极/漏极端子的第一位线至有第一电位的源极偏压；

使耦合至该目标存储器单元的第二源极/漏极端子的第二位线斜升至漏极偏压，其中，该漏极偏压经控制成在预定时段呈实质恒定；

实质在该预定时段期间，驱动耦合至该目标存储器单元的该第一源极/漏极端子的该第一位线至小于该第一电位的第二电位。