[发明专利]硅-碳-氮化物的选择性蚀刻

权利要求书

1.一种在基板处理腔室的基板处理区域中蚀刻图案化基板的方法，其中所述图案化基板具有曝露的含-硅-氮-和-碳区域以及曝露的氧化硅区域，所述方法包含：

使含氟前驱物和含氧前驱物的每一者流入流体耦接至所述基板处理区域的远程等离子体区域，同时在所述远程等离子体区域中形成等离子体，以产生等离子体流出物，其中使所述含氟前驱物和所述含氧前驱物的每一者流入所述远程等离子体区域包含将O:F原子流量比保持在高于或等于2:1并低于或等于10:1；以及

藉由使所述等离子体流出物经由喷洒头中的通孔流入所述基板处理区域而蚀刻所述曝露的含-硅-氮-和-碳区域，并且其中所述蚀刻操作的选择性大于或等于150:1，所述蚀刻操作的选择性定义为曝露的含-硅-氮-和-碳区域：曝露的氧化硅区域的蚀刻速率比。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝露的含-硅-氮-和-碳区域为硅碳氮化物。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝露的含-硅-氮-和-碳区域基本上由硅、氮和碳所组成。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以原子百分比量测，所述曝露的含-硅-氮-和-碳区域包含10％或更多的氮。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以原子百分比量测，所述曝露的含-硅-氮-和-碳区域包含15％或更多的氮。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以原子百分比量测，所述曝露的含-硅-氮-和-碳区域包含20％或更多的氮。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化基板的温度大于或等于0℃并小于或等于50℃。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板处理区域内的压力低于或等于50托并高于或等于0.1托。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述远程等离子体区域中形成等离子体以产生等离子体流出物包含施加10瓦至2000瓦之间的RF功率至所述远程等离子体区域。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体为电容耦合等离子体。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氧前驱物包含O₂、O₃、N₂O或NO₂中的至少一者。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述蚀刻操作过程中所述基板处理区域无等离子体。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟前驱物包含NF₃。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟前驱物包含选自于由原子氟、双原子氟、三氟化溴、三氟化氯、三氟化氮、氟化氢、六氟化硫、二氟化氙、四氟化碳、三氟甲烷、二氟甲烷或氟甲烷所组成的群组的前驱物。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟前驱物和所述等离子体流出物基本上无氢。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板处理区域内基本上无离子化物种和自由电子浓度。

17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述喷洒头中的所述通孔的最小内径介于0.2mm至5mm之间。