[发明专利]紧密集成的半导体器件、系统和/或封装的热管理有效
| 申请号： | 201380038137.X | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104488076B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | L·G·舒亚-伊恩;R·张 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;G06F1/20;G06F1/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 管芯 半导体封装 热管理单元 漏泄电流 第二管 传感器 半导体器件 耦合 热管理 配置 封装 加热 测量 毗邻 | ||
1.一种半导体封装，包括：
第一管芯；
毗邻所述第一管芯的第二管芯，所述第二管芯能够加热所述第一管芯；
漏泄传感器，被配置成测量所述第一管芯的漏泄电流；以及
耦合至所述漏泄传感器的热管理单元，所述热管理单元被配置成基于所述第一管芯的漏泄电流以及所述第一管芯和所述第二管芯的相对热量生成特性来控制所述第一管芯的温度。
2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述热管理单元被配置成通过基于所述第一管芯的漏泄电流控制从所述第二管芯发出的热量来控制所述第一管芯的温度。
3.如权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，控制从所述第二管芯发出的热量包括基于所述第一管芯的漏泄电流来降低所述第二管芯的活跃性。
4.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，被配置成测量漏泄电流的所述漏泄传感器是被配置成测量所述第一管芯中的压降的传感器。
5.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一管芯具有热容差，所述热管理单元被配置成通过基于所述第一管芯的热容差控制从所述第二管芯发出的热量来控制所述第一管芯的温度。
6.如权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，基于所述第一管芯的热容差来控制从所述第二管芯发出的热量包括基于所述第一管芯的测得漏泄电流来确定所述第一管芯的温度并且将所确定的温度与所述第一管芯的热容差作比较。
7.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，进一步包括耦合至所述热管理单元的热量减少机构。
8.如权利要求7所述的半导体封装，其特征在于，所述第一管芯是存储器而所述热量减少机构是存储器控制器。
9.如权利要求7所述的半导体封装，其特征在于，所述热量减少机构通过执行至少动态电压和频率调节(DVFS)、动态频率调节(DFS)、时钟门控和断电之一来减少热量。
10.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述漏泄传感器与所述第一管芯分开。
11.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述漏泄传感器是所述第一管芯的一部分。
12.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述热管理单元是所述第二管芯的一部分。
13.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一管芯堆叠在所述第二管芯顶部。
14.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一管芯和所述第二管芯通过穿板通孔(TSV)彼此耦合。
15.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一管芯、所述第二管芯和所述热管理单元是系统级封装(SiP)和玻璃上系统(SoG)中的至少一者的一部分。
16.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述封装被纳入音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
17.如权利要求16所述的半导体封装，其特征在于，所述通信设备包括移动电话和/或智能电话中的至少一者。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380038137.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电集尘器集尘板的清扫导向装置
- 下一篇：电磁自排除铁装置
