[发明专利]基板处理装置、程序以及基板处理方法有效
申请号: | 201380037331.6 | 申请日: | 2013-06-25 |
公开(公告)号: | CN104471699B | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 山本真弘 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 金相允,向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 程序 以及 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种利用处理部依次处理多个基板的技术,特别是涉及一种从容置有多个基板的密封容器搬出基板或者将基板搬入该密封容器的技术。
背景技术
在半导体的制造工序中,为了改善良品率以及品质,在洁净室(clean room)内对晶圆(基板)进行处理。但是,由于半导体元件的高集成化、电路的微型化等理由,能够容许的尘埃等的异物的大小变得极其小。因此,在有些情况下采用所谓的微环境系统。
在该微环境系统中,洁净室不仅整体实现高净化,还在局部形成高清洁空间。例如,通过将容纳基板的装载盒容置在密封容器(例如,FOUP(Front-Opening Unified Pod):前开式标准晶圆盒)中,在各工序之间(或者各工序内)搬运或者保管基板。
已知有被称为装载端口的接口部,其与基板处理装置(半导体制造装置)的处理部之间取出/放入密封容器内的基板,并且在搬运装置之间交接密封容器。在洁净室内,通过特别针对密封容器内和基板处理装置进行超高净化,并对密封容器和半导体制造装置之间的基板交接空间进行规定程度的高净化,抑制了洁净室的建设成本或者运行成本(例如,专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2010-232560号公报
发明内容
发明要解决的问题
在一般的基板处理的情况下,当工序开始时开放密封容器,即使保持这个状态直到工序完成后再将密封容器的开口关闭,在基板处理方面也没有什么特别的问题。但是,根据基板的种类不同,有可能因持续处于开放状态而 导致基板受到氧化等破坏。
为了避免该问题,在现有的半导体制造装置中进行如下了的控制,即,从密封容器取出1张(或者需要的张数)基板并经过规定时间后,将密封容器的开口关闭,直到搬运装置下一次来取基板为止都将密封容器关闭。但是,在该情况下,由于直到经过上述规定时间为止,密封容器持续处于开放状态,所以基板有可能被破坏。通常,用于使密闭容器开闭的开闭装置为相对于半导体制造装置独立的控制系统。因此,在从搬运装置侧向开闭装置侧发送搬出基板或者搬入基板的信号之后,开闭装置进行密闭容器的开闭动作。因此,当搬运装置从密封容器搬出基板、或者向密封容器搬入基板时,直到密封容器的开口开放为止,需要使搬运装置待机。因此,产生如这样的搬运装置的待机时间,从而有可能导致半导体制造装置的运行效率即基板处理效率下降。
本发明鉴于上述问题而提出的,其目的在于,提供一种抑制基板处理效率下降,并且降低因开放密封容器而导致容置在内部的基板受到的破坏的技术。
用于解决问题的手段
为了解决上述的问题,第一方面为一种处理基板的基板处理装置,其具有:密封容器,其形成有用于搬入或者搬出基板的开口;开闭部,其开闭所述开口;处理部,其对所述基板进行规定的处理;基板搬运部,其从所述密封容器搬出基板或者将基板搬入所述密封容器;进度表创建部,其根据所述处理部处理基板的处理时间,创建规定了所述开闭部开闭所述开口的时间,以及所述基板搬运部从所述密封容器搬出基板或者将基板搬入所述密封容器的时间的进度表;执行指示部,其基于所述进度表,指示所述开闭部以及所述基板搬运部执行动作。
另外,第二方面的基板处理装置,在第一方面的基板处理装置的基础上,所述进度表创建部以如下的方式创建所述进度表:在所述开口由开闭部开放的状态下,在直到下一次所述基板搬运部开始从所述密封容器搬出基板或者开始将基板搬入所述密封容器为止的时间长度,比所述开闭部的闭动作所需要的时间长度以及所述开闭部的开动作所需要的时间长度的合计时间长度更长的情况下,所述开闭部关闭所述开口。
另外,第三方面的基板处理装置,在第一或者第二方面的基板处理装置 的基础上,所述进度表创建部以如下的方式创建所述进度表:在所述开口由所述开闭部关闭的状态下,所述开闭部在比下一次所述基板搬运部开始从所述密封容器搬出基板或者将基板搬入所述密封容器的时间提早规定时间长度的时机,开始开放所述开口,所述规定时间长度是指,在所述开闭部的开动作所需要的时间长度以上的时间长度。
另外,第四方面的基板处理装置,在第一至第三方面中的任一个方面的基板处理装置的基础上,还具有:非活性气体供给部,其向所述容器内供给非活性气体,浓度获取部,其获取所述密封容器内的非活性气体浓度;所述进度表创建部以如下的方式创建所述进度表:在由所述浓度获取部获取的所述非活性气体浓度在规定的基准值以下的情况下,利用所述开闭部关闭所述开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造