[发明专利]蚀刻组合物有效

专利信息
申请号: 201380016216.0 申请日: 2013-07-31
公开(公告)号: CN104395502B 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 高桥和敬;水谷笃史;高桥智威 申请(专利权)人: 富士胶片电子材料美国有限公司;富士胶片株式会社
主分类号: C23F1/16 分类号: C23F1/16
代理公司: 北京市中伦律师事务所11410 代理人: 贾媛媛
地址: 美国罗*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 蚀刻 组合
【权利要求书】:

1.一种蚀刻组合物,包含:

60重量%至95重量%的至少一种磺酸;

0.005重量%至0.04重量%的氯化物阴离子;

0.03重量%至0.27重量%的溴化物阴离子;

0.1重量%至20重量%的硝酸盐或亚硝酰基离子;和

3重量%至37重量%的水;

其中所述组合物不含有氟离子。

2.如权利要求1所述的组合物,其中所述至少一种磺酸包含式(1)的化合物:

R1SO3H 式(1),

其中R1是取代或未取代的C1-C12直链或支链的烷基、取代或未取代的C3-C12环烷基、C1-C12直链或支链的氟烷基醚或C3-C12环氟烷基醚。

3.如权利要求2所述的组合物,其中R1是C1-C12直链或支链的烷基或C3-C12环烷基,其每一个任选地被卤素、C1-C4烷基、磺酸或任选地被C1-C4烷基或羟基取代的苯基所取代。

4.如权利要求3所述的组合物,其中所述至少一种磺酸是甲烷磺酸。

5.如权利要求1所述的组合物,其中所述至少一种磺酸包含式(2)的化合物:

其中

R2、R3和R4各自独立地为C1-C12直链或支链的烷基、C3-C12环烷基、F、Cl、Br、OH、NO2、SO3H或CO2H;

R5是H;并且

a、b、c和n各自独立地为0、1、2和3,前提条件是a、b和c的总和为n。

6.如权利要求5所述的组合物,其中R2、R3和R4各自独立地为C1-C2烷基、Cl、NO2、OH、F或CO2H;并且n为0或1。

7.如权利要求1所述的组合物,其中所述至少一种磺酸包含萘磺酸或蒽磺酸,其每一个任选地被C1-C12直链或支链的烷基或SO3H取代。

8.如权利要求1所述的组合物,其中所述组合物包含第一磺酸和第二磺酸。

9.如权利要求8所述的组合物,其中所述第一磺酸包含式(1)的化合物:

R1SO3H 式(1),

其中R1是未取代的C1-C4直链或支链的烷基。

10.如权利要求8所述的组合物,其中所述第二磺酸包含式(2)的化合物:

其中

R2、R3和R4各自独立地为C1-C12直链或支链的烷基、C3-C12环烷基、F、Cl或Br;

R5是H;并且

a、b、c和n各自独立地为0、1、2和3,前提条件是a、b和c的总和为n。

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