[发明专利]有机半导体组合物

权利要求书

1.多环芳族烃共聚物(PAHC)，其包含至少一种具有式(A)的杂并苯单体单元和至少一种具有式(B)的单体单元的混合物：

其中式(A)的单体可为纯的顺式异构体、或纯的反式异构体、或顺式和反式异构体的混合物；

Y¹和Y²独立地为O、S、Se或NR″″

R″″为H或环状、直链或支化的C₁-C₁₀烷基，优选H，

k为0或1

l为0或1

其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹¹、R¹²、R¹³和R¹⁴各自可相同或不同，独立地代表氢；支化或未支化的、取代或未取代的C₁-C₄₀烷基；支化或未支化的、取代或未取代的C₂-C₄₀烯基；支化或未支化的、取代或未取代的C₂-C₄₀炔基；任选地取代的C₃-C₄₀环烷基；任选地取代的C₆-C₄₀芳基；任选地取代的C₁-C₄₀杂环基；任选地取代的C₁-C₄₀杂芳基；任选地取代的C₁-C₄₀烷氧基；任选地取代的C₆-C₄₀芳氧基；任选地取代的C₇-C₄₀烷基芳氧基；任选地取代的C₂-C₄₀烷氧羰基；任选地取代的C₇-C₄₀芳氧羰基；氰基(-CN)；氨基甲酰基(-C(＝O)NR¹⁵R¹⁶)；羰基(-C(＝O)-R¹⁷)；羧基(-CO₂R¹⁸)；氰酸酯基(-OCN)；异氰基(-NC)；异氰酸酯基(-NCO)；硫氰酸酯基(-SCN)或异硫氰酸酯基(-NCS)；任选地取代的氨基；羟基；硝基；CF₃基团；卤素基团(Cl、Br、F、I)；-SR¹⁹；-SO₃H；-SO₂R²⁰；-SF₅；任选地取代的甲硅烷基；被-SiH₂R²²基团取代的C₂-C₁₀炔基，被-SiHR²²R²³基团取代的C₂-C₁₀炔基，或被-Si(R²²)_x(R²³)_y(R²⁴)_z基团取代的C₂-C₁₀炔基部分；

其中各R²²基团独立地选自支化或未支化的、取代或未取代的C₁-C₁₀烷基，支化或未支化的、取代或未取代的C₂-C₁₀炔基，取代或未取代的C₂-C₂₀环烷基，取代或未取代的C₂-C₁₀烯基，和取代或未取代的C₆-C₂₀环烷基亚烷基；

各R²³基团独立地选自支化或未支化的、取代或未取代的C₁-C₁₀烷基，支化或未支化的、取代或未取代的C₂-C₁₀炔基，取代或未取代的C₂-C₁₀烯基，取代或未取代的C₂-C₂₀环烷基，和取代或未取代的C₆-C₂₀环烷基亚烷基；

R²⁴独立地选自氢，支化或未支化的、取代或未取代的C₂-C₁₀炔基，取代或未取代的C₂-C₂₀环烷基，取代或未取代的C₆-C₂₀环烷基亚烷基，取代的C₅-C₂₀芳基，取代或未取代的C₆-C₂₀芳基亚烷基，乙酰基，取代或未取代的在环中包含O、N、S和Se的至少一个的C₃-C₂₀杂环；

其中x＝1或2；y＝1或2；z＝0或1；且(x+y+z)＝3；

其中R¹⁵、R¹⁶、R¹⁸、R¹⁹和R²⁰各自独立地代表H或任选地取代的任选地包含一个或多个杂原子的C₁-C₄₀碳基或烃基；

其中R¹⁷代表卤素原子、H或任选地取代的任选地包含一个或多个杂原子的C₁-C₄₀碳基或C₁-C₄₀烃基；

其中k和l独立地为0、1或2；

其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁸、R⁹、R¹⁰和R¹¹的至少两个为到另外的具有式(A)或(B)的单体单元的由——^*代表的键，和

其中Ar₁、Ar₂和Ar₃可相同或不同，各自代表任选地取代的C_6-40芳族基团(单环的或多环的)，如果在不同的重复单元中，各自独立地代表任选地取代的C_6-40芳族基团(单环的或多环的)，其中优选地，Ar₁、Ar₂和Ar₃的至少一个被至少一个极性或更极化的基团取代。