[发明专利]热氧化异种复合基板及其制造方法有效

申请号：	201380005209.0	申请日：	2013-01-11
公开（公告）号：	CN104040686B	公开（公告）日：	2017-05-24
发明（设计）人：	秋山昌次;飞坂优二;永田和寿	申请（专利权）人：	信越化学工业株式会社
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/324;H01L27/12
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038	代理人：	李英
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	氧化复合及其制造方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.热氧化异种复合基板，是对在厚度500～800μm的处理基板上贴合了厚度50～500nm的单晶硅膜的异种复合基板进行热氧化处理而于单晶硅膜形成有热氧化膜的热氧化异种复合基板，在对所述异种复合基板进行热氧化处理的情形下，通过在实施超过850℃的热氧化处理前施加650℃～850℃、0.5小时以上6小时以下的中间热处理，然后在超过850℃的温度下实施热氧化处理而得到所述热氧化异种复合基板。

2.权利要求1所述的热氧化异种复合基板，其特征在于，处理基板为玻璃、石英、蓝宝石的任一种。

3.权利要求1或2所述的热氧化异种复合基板，其特征在于，在处理基板与单晶硅膜之间存在埋入氧化膜。

4.权利要求1或2所述的热氧化异种复合基板，其特征在于，中间热处理的气氛为氩、氮、氧、氢、氦、或将非活性气体与氧混合而成的气氛。

5.权利要求1或2所述的热氧化异种复合基板，其特征在于，处理基板的热膨胀系数在400℃以下为0.54ppm以上7.4ppm以下。

6.权利要求1或2所述的热氧化异种复合基板，其特征在于，处理基板为蓝宝石，蓝宝石晶片的膨胀系数在室温～400℃下为7.4ppm以下。

7.权利要求1或2所述的热氧化异种复合基板，其特征在于，所述热氧化膜为栅极氧化膜。

8.热氧化异种复合基板的制造方法，其特征在于，在对在厚度500～800μm的处理基板上贴合了厚度50～500nm的单晶硅膜的异种复合基板进行热氧化处理的情形下，施加650～850℃、0.5小时以上6小时以下的中间热处理后，在超过850℃的温度下实施热氧化处理。

9.权利要求8所述的热氧化异种复合基板的制造方法，其特征在于，处理基板为玻璃、石英、蓝宝石的任一种。

10.权利要求8或9所述的热氧化异种复合基板的制造方法，其特征在于，异种复合基板在处理基板与单晶硅膜之间存在埋入氧化膜。

11.权利要求8或9所述的热氧化异种复合基板的制造方法，其特征在于，中间热处理的气氛为氩、氮、氧、氢、氦、或将非活性气体与氧混合而成的气氛。

12.权利要求8或9所述的热氧化异种复合基板的制造方法，其特征在于，处理基板的热膨胀系数在400℃以下为0.54ppm以上7.4ppm以下。

13.权利要求8或9所述的热氧化异种复合基板的制造方法，其特征在于，处理基板为蓝宝石，蓝宝石晶片的膨胀系数在室温～400℃下为7.4ppm以下。