[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括衬底、形成于所述衬底上表面的绝缘层、形成于所述绝缘层上的至少一个金属互连层，其特征在于，所述半导体器件还包括形成于所述衬底下表面的至少一个金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具备有源区和非有源区，所述非有源区中形成有至少一个平板电容。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述平板电容包括相对设置的第一极板和第二极板，所述第一极板为在形成所述金属互连层的刻蚀工序中通过调整刻蚀版图而保留在所述非有源区中的一部分金属，所述第二极板为在形成所述衬底下表面的金属层的刻蚀工序中通过调整刻蚀版图而保留在所述非有源区中的一部分金属。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一极板与所述半导体器件的封装引脚中的输入或输出引脚相连，所述第二极板与所述半导体器件的封装框架中的连接到接地端或预定端的晶座相接。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一极板与所述半导体器件的封装引脚中的接地引脚相连，所述第二极板与所述半导体器件的封装框架中的连接到输入或输出端的晶座相接。