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[发明专利]半导体二极管及其制造方法-CN202210363432.3在审
发明人：王鹏飞;王睿;林敏之;刘磊;龚轶 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体二极管，包括n型衬底；位于所述n型衬底之上的n型漂移区；位于所述n型漂移区之上的p型阳极区；位于所述p型阳极区与所述n型漂移区之间且横向间隔设置的若干个n型掺杂区。本发明的半导体二极管具有较大的反向恢复软度，能够降低半导体二极管在反向恢复过程中的电压过冲。
半导体二极管及其制造方法

[发明专利]IGBT器件及其制造方法-CN202111576883.7在审
发明人： 林敏之;刘伟;刘磊;袁愿林 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件及其制造方法，IGBT器件包括元胞区和终端区，元胞区包括：p型集电极区；位于p型集电极区之上的n型半导体层；位于n型半导体层内的若干个栅沟槽；位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅和位于栅沟槽的上部内的栅极，栅极、屏蔽栅与所述n型半导体层之间互相绝缘隔离；位于所述n型半导体层内且介于相邻的所述栅沟槽之间的p型体区，所述p型体区内设有n型发射极区；位于所述n型半导体层内且介于相邻的所述屏蔽栅之间的n型电荷存储区，其中部分所述屏蔽栅之间设有n型电荷存储区，n型电荷存储区设置于p型体区邻近p型集电极区的一侧，且部分屏蔽栅之间未设有n型电荷存储区。
igbt 器件及其制造方法

[发明专利]IGBT器件-CN202111534459.6在审
发明人： 林敏之;刘磊;刘伟;袁愿林 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件，包括n型半导体层；位于n型半导体层内的若干个p型体区，位于n型半导体层内且介于相邻的p型体区之间的栅沟槽，位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅，位于栅沟槽的上部内的栅极，所述栅极、屏蔽栅与n型半导体层之间互相绝缘隔离；若干个p型体区中，至少有一个p型体区具有第一掺杂浓度并定义为第一p型体区，且至少有一个p型体区具有第二掺杂浓度并定义为第二p型体区，第一p型体区的第一掺杂浓度小于第二p型体区的第二掺杂浓度；至少有一个与第一p型体区相邻的栅沟槽内的屏蔽栅外接栅极电压，剩余的栅沟槽内的屏蔽栅外接发射极电压。
igbt 器件

[发明专利]IGBT器件-CN202111561080.4在审
发明人：刘伟;林敏之;袁愿林;王睿 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件，n型半导体层内的若干个栅沟槽，位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅，位于栅沟槽的上部内的栅极，栅极、屏蔽栅与n型半导体层之间互相绝缘隔离；部分屏蔽栅外接栅极电压并定义为第一屏蔽栅，剩余的屏蔽栅外接发射极电压并定义为第二屏蔽栅，第一屏蔽栅与第二屏蔽栅交替间隔设置；位于n型半导体层内且介于相邻的栅沟槽之间的p型体区，p型体区包括第一p型体区和第二p型体区两部分，第一p型体区位于靠近相邻的第一屏蔽栅的一侧，第二p型体区位于靠近相邻的第二屏蔽栅的一侧，第一p型体区的掺杂浓度小于第二p型体区的掺杂浓度。
igbt 器件

[发明专利]IGBT功率器件-CN202111129891.7在审
发明人： 林敏之;刘伟;袁愿林;刘磊 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT功率器件，包括由若干个元胞结构周期性排列组成的元胞区，所述元胞结构包括：n型外延层；位于所述n型外延层内的两个第一沟槽以及介于两个所述第一沟槽之间的至少三个栅沟槽，所述栅沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；位于所述n型外延层内的n型电荷存储区，每个所述栅沟槽的底部均设有一个所述n型电荷存储区；所述第一沟槽内设有绝缘层和导电层，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极；位于所述n型外延层内且介于相邻两个所述栅沟槽之间的p型体区，所述p型体区内设有n型发射极区。
igbt 功率器件

[发明专利]一种半导体器件测试装置及系统-CN201910218627.7在审
发明人：王举贵;林敏之 -专利权人：王举贵;林敏之
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件测试装置及系统。该半导体器件测试装置包括双脉冲合成单元、驱动单元、第一电阻和第二电阻；双脉冲合成单元的第一端与信号发生器连接，双脉冲合成单元的第二端与驱动单元的第一端连接；驱动单元的第二端与被测半导体器件的栅极连接；第一电阻的第一端与第一电源连接，第一电阻的第二端与被测半导体器件的漏极连接；第二电阻的第一端与被测半导体器件的源极连接；第二电阻的第二端接地；第一电阻的第二端、所述第二电阻的第一端以及被测半导体器件的栅极分别与示波器连接。本发明实施例提供的半导体器件测试装置，可以实现减小体积，降低成本，降低干扰和提高测试精度的效果。
电阻第一端半导体器件测试装置半导体器件合成单元驱动单元双脉冲信号发生器电源连接降低干扰源极连接栅极连接端接地示波器减小漏极测试

[发明专利]一种分栅功率器件的制造方法-CN201510323899.5有效
发明人：毛振东;林敏之;刘伟;刘磊 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件制造技术领域，特别是涉及一种分栅功率器件的制造方法。本发明的一种分栅功率器件的制造方法是在刻蚀形成控制栅后，直接以第一绝缘薄膜为掩膜刻蚀衬底外延层以形成分栅凹槽，在该刻蚀过程中，控制栅会被部分刻蚀，使得控制栅的宽度减小，从而提高了对控制栅电极接触孔的刻蚀精度要求；分栅凹槽形成后直接淀积一层厚的第三绝缘薄膜以覆盖控制栅和分栅凹槽的表面，以减小控制栅电极接触孔对准偏差造成的影响，从而能够降低控制栅电极接触孔的刻蚀精度要求，使得整个工艺过程简单可靠、易于控制，可大大提高分栅功率器件的成品率。本发明特别适用于25V‑200V半导体功率器件的制造。
一种功率器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310739611.3有效
发明人： 林敏之;陈铭;陈伟;徐维;赖海波 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、形成于所述衬底上表面的绝缘层、形成于所述绝缘层上的至少一个金属互连层，所述半导体器件还包括形成于所述衬底下表面的至少一个金属层。本发明通过在衬底的下表面形成至少一个金属层，来与形成于衬底上表面的金属互连层形成平板电容，通过将该平板电容连接到半导体器件的输入或输出端，来实现对半导体器件的输入或输出阻抗到目标阻抗的匹配。本发明还提供了这种半导体器件的制造方法，可以便捷且高效地实现半导体器件的输入或输出端的阻抗匹配。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]半导体器件-CN201320877434.0有效
发明人： 林敏之;陈铭;陈伟;徐维;赖海波 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件，包括衬底、形成于所述衬底上表面的绝缘层、形成于所述绝缘层上的至少一个金属互连层，所述半导体器件还包括形成于所述衬底下表面的至少一个金属层。本实用新型通过在衬底的下表面形成至少一个金属层，来与形成于衬底上表面的金属互连层形成平板电容，通过将该平板电容连接到半导体器件的输入或输出端，来便捷且高效地实现对半导体器件的输入或输出阻抗到目标阻抗的匹配。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201320687772.8有效
发明人： 林敏之;陈铭;陈伟;韩继国;王举贵 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底、形成于所述衬底上的绝缘层和依次形成于所述绝缘层上的至少第一金属互连层和第二金属互连层，所述金属互连层之间间隔有绝缘物质，所述半导体器件具备有源区和非有源区，所述非有源区中形成有至少一个平板电容。本实用新型通过将平板电容集成到半导体器件内部并连接到半导体器件的输入或输出端，来实现对半导体器件的输入或输出阻抗到目标阻抗的匹配，从而避免了工艺的波动对半导体器件性能的稳定性与可靠性的影响。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310536188.7有效
发明人： 林敏之;陈铭;陈伟;韩继国;王举贵 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括衬底、形成于所述衬底上的绝缘层和依次形成于所述绝缘层上的至少第一金属互连层和第二金属互连层，所述金属互连层之间间隔有绝缘物质，所述半导体器件具备有源区和非有源区，所述非有源区中形成有至少一个平板电容。通过将该平板电容连接到半导体器件的输入或输出端，来实现对半导体器件的输入或输出阻抗到目标阻抗的匹配。本发明还提供了这种半导体器件的制造方法，可以便捷、高效、低成本地实现半导体器件的输入或输出端的阻抗匹配，降低了半导体器件在使用过程中的复杂程度与可能带来的故障率，同时具备电路设计简单、工作可靠性高、器件性能稳定可靠的优点。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]具有终端保护结构的半导体功率器件-CN201220742195.3有效
发明人： 林敏之;陈伟 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有终端保护结构的半导体功率器件，包括有源区以及环绕该有源区设置的终端保护区，该终端保护区具有划片边缘，并包括一个填充满绝缘材料的沟槽，该沟槽在垂直方向上紧邻该氧化层，并延伸入该外延层内，其中，该沟槽在宽度方向上包括一个与该划片边缘相重叠的第一边缘以及与该第一边缘相对的第二边缘。本实用新型的半导体功率器件，极大地缩短了功率器件终端保护区的长度，并提高了功率器件的耐压能力。
具有终端保护结构半导体功率器件

[发明专利]具有终端保护结构的半导体功率器件-CN201210586130.9有效
发明人： 林敏之 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有终端保护结构的半导体功率器件，包括有源区以及环绕该有源区设置的终端保护区，该终端保护区具有划片边缘，并包括一个填充满绝缘材料的沟槽，该沟槽自该衬底层的底部穿过该衬底层，延伸入该外延层，并且，该沟槽在宽度方向上包括一个与该划片边缘相重叠的第一边缘以及与该第一边缘相对的第二边缘，该第二边缘延伸入该有源区内的衬底层以及外延层。本发明的半导体功率器件，缩短了功率器件终端保护区的长度，并提高了功率器件的耐压能力。
具有终端保护结构半导体功率器件

[发明专利]具有终端保护结构的半导体功率器件-CN201210586270.6无效
发明人： 林敏之;陈伟 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有终端保护结构的半导体功率器件，包括有源区以及环绕该有源区设置的终端保护区，该终端保护区具有划片边缘，并包括一个填充满绝缘材料的沟槽，该沟槽在垂直方向上紧邻该氧化层，并延伸入该外延层内，其中，该沟槽在宽度方向上包括一个与该划片边缘相重叠的第一边缘以及与该第一边缘相对的第二边缘。本发明的半导体功率器件，极大地缩短了功率器件终端保护区的长度，并提高了功率器件的耐压能力。
具有终端保护结构半导体功率器件

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