[实用新型]晶圆劈裂机有效
申请号: | 201320876016.X | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN203746818U | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 郑礼忠;蔡奇陵 | 申请(专利权)人: | 郑礼忠;蔡奇陵 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B28D5/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 劈裂 | ||
技术领域
本实用新型是关于一种晶圆切割装置,尤其是指一种半导体工艺中用于切割晶圆时使用的劈裂机。
背景技术
近年,随着节能减碳的国际环保趋势及产业需求,发光二极管(Light-Emitting Diode,简称LED)产业在台湾的发展日趋重要。发光二极管属于半导体组件之一,由于具有体积较小、使用寿命长、耗电量少等优点,目前大量应用于各式电子产品上。发光二极管是台湾光电产业中最具竞争力的产品之一,台湾的发光二极管产业在世界上仅次于日本,在2010年台湾已为发光二极管产业产值全球第二大,随着现有技术的成长,发光二极管生产良率渐渐提高,单位制造成本将大幅降低,而发光二极管的需求会持续增加,相关展业发展前景看好。
现在的发光二极管工艺中,由于发光二极管的晶圆相较与其他应用领域的晶圆体积小很多,因此发光二极管晶圆分割时必须特别精细处理,如果在切割晶圆的过程中有任何问题,如分割不完全或误伤晶圆本体等等,使晶圆分割后的晶粒功能降低或甚至无法使用,而让晶圆分割后的良率降低,都会对晶圆生产过程造成严重的影响,也造成重大的成本损失,因此处理发光二极管工艺中晶圆的切割必须特别慎重小心。
已知的技术中,晶圆劈裂机一般采用电磁装置来作为劈刀的击锤,然而,电磁装置在反应时间较慢,在切割晶圆的过程中当电磁装置敲击劈刀后,需通入反向电流使电磁装置离开劈刀,以进行后续切割作业,且电磁装置通常会再搭配弹簧,以使电磁装置接触劈刀的时间可以缩小到最短,但如此一来便难以控制电磁装置在敲击劈刀时的力量,而当使用一段时间 之后,弹簧出现弹性疲乏,使得电磁装置敲击劈刀的力量需得再进行调整,往往造成设备在保养以及产品生产上的困扰,同时,若是劈刀在作动时施力不均或施力不足,则晶圆就不能完整的切割,若因此产生切割不完全的晶圆,就无法进行下一个制作流程,甚至必需舍弃切割不全的晶圆,如此会对生产成本造成负担,所以如何达到利用晶圆劈裂机将晶圆做完整分割,成为发光二极管工艺中重要的课题。
有鉴于此,如何针对上述已知晶圆劈裂机所存在的缺点进行研发改良,让使用者能够更方便使用且提升成品良率,实为相关业界所需努力研发的目标。
实用新型内容
为了解决上述所提到问题,本实用新型的一主要目的在于提供一种晶圆劈裂机,特别是一种在劈刀座上配置一对弹片,能增进劈刀座稳定的移动,以准备进行下一次的切割作业。
依据上述目的,本实用新型提供一种晶圆劈裂机,包括:一枪管座,为一中空管,具有一第一端及相对第一端的一第二端,并于第一端外周缘形成一气接座;一枪管,为一中空管,具有一第一端及相对第一端的一第二端,是由枪管座的第二端配置于枪管座的中空管内,并使枪管的第二端与枪管座的第二端对齐配置;一缓冲块,是由枪管座的第一端配置于枪管座的中空管内,并接于枪管的第一端,且具有一进气道,进气道的纵向中心线是对准枪管的中空管的纵向中心线配置;一覆盖,是盖于气接座,且具有一进气孔,覆盖的进气孔是对准缓冲块的进气道而配置;一钢珠,是配置于枪管的中空管内;一冂字型固定基板,由一水平板及位于水平板两边端的两垂直板所组成,水平板具有一贯穿的配置孔,用以使枪管座穿过并止于枪管座的气接座;一对弹片,具有两配置部及一悬空部,两配置部分别与等垂直板下方连接,悬空部位于两配置部之间;一劈刀座,是配置于对弹片的下方,并连接于悬空部,并使枪管座的第二端位于劈刀座上方;及一劈刀,是配置于劈刀座下方。
其中该缓冲块的外围围绕一O型环。
其中该覆盖的该进气孔进一步连接于一电控的节气阀。
其中该覆盖的该进气孔进一步连接于一电控的压力调整阀。
其中该缓冲块具有一延伸部,并由该枪管的第一端延伸入该枪管的中空管内。
其中该枪管座内部形成一内螺纹,且该缓冲块上形成一与该枪管座内部的该内螺纹相对应的外螺纹。
其中该缓冲块上形成多个轴孔,且该枪管座上配置与所述轴孔相对应的止付螺丝。
其中该缓冲块进一步配置一电控升降装置。
本实用新型所提出的晶圆劈裂机,能在劈裂作业时,产生稳定的上下移动,以及产生高速的回弹,以确保晶圆切割的完全且精准性,降低成本的损失。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造