[实用新型]一种高显色性白光LED结构有效
| 申请号： | 201320659828.9 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN203607398U | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 叶国光;郝锐;罗长得 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 显色性 白光 led 结构 | ||
1.一种高显色性白光LED结构，包括通过胶粘合的蓝光LED芯片和红光LED芯片，其特征在于：所述蓝光芯片包括衬底、在衬底上依次生长的缓冲层、DBR层、n型半导体材料层、发光层、电子阻挡层、p型半导体材料层和透明电极层，蓝光芯片中的透明电极层上涂覆有黄色荧光粉；所述红光芯片包括衬底、在衬底上依次生长的n型半导体材料层、发光层、p型半导体材料层和透明电极层，透明电极层上设有反射层。
2.根据权利要求1所述的高显色性白光LED结构，其特征在于：所述蓝光芯片中的透明电极层上涂覆有硅胶和钇铝石榴石的混合体。
3.根据权利要求1所述的高显色性白光LED结构，其特征在于：所述蓝光芯片包括有蓝宝石衬底、GaN缓冲层、DBR层、n型GaN层、由InGaN和GaN材料层组成的发光层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN层和ITO透明电极层。
4.根据权利要求1所述的高显色性白光LED结构，其特征在于：所述红光芯片包括有GaP衬底、n型AlInGaN、发光波长为600-650nm的AlxInyGazP发光层，p型AlInGaN层、ITO透明导电层和反射层，其中AlxInyGazP发光层中， x和y的摩尔分数均为0-0.25，x =y，z=1-x-y。
5.根据权利要求1所述的高显色性白光LED结构，其特征在于：所述红光芯片的尺寸等于蓝光芯片的尺寸。
6.根据权利要求1或3所述的高显色性白光LED结构，其特征在于：所述DBR层由2-15个周期材料层组成，每一周期材料层由AlGaN、InGaN和GaN中的两种材料层组成，每一种材料层的厚度为蓝光波长的1/4、1/8或1/16除以材料的折射率。
7.根据权利要求1所述的高显色性白光LED结构，其特征在于：所述胶的材料为有机硅胶、银浆、导热胶、合金焊中的一种或多种，胶的厚度为100nm-100um。
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