[实用新型]具有孔的半导体装置

权利要求书

1.一种具有孔的半导体装置，其特征在于，包括：衬底，其具有设置在所述衬底内的至少一个孔，其中，所述衬底包括：沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大；以及口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面内的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上；以及填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。 

2.根据权利要求1所述的具有孔的半导体装置，其中，所述衬底由单晶硅形成。 

3.根据权利要求1所述的具有孔的半导体装置，其中，所述填充物和所述电介质气密地密封到所述衬底。 

4.根据权利要求1所述的具有孔的半导体装置，其中，所述沟槽限定所述衬底内的一电路，所述衬底的内部部分位于所述电路内，外部部分围绕所述电路。 

5.根据权利要求1所述的具有孔的半导体装置，其中，所述沟槽的横截面从所述顶部开口到所述底部开口逐渐变窄。 

6.根据权利要4所述的具有孔的半导体装置，其中，所述内部部分与所述外部部分电介质相隔离。 

7.根据权利要求1所述的具有孔的半导体装置，其中，所述电介质在衬底表面的下方凹进，

其中，填充物包括以下至少一种：半导体与电介质的组合；以及 多晶硅，并且 其中，填充物在所述上表面的下方凹进。