[实用新型]倒装LED芯片的反射层结构及倒装LED芯片有效
| 申请号： | 201320549514.3 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN203521456U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 唐小玲;夏红艺;罗路遥 | 申请（专利权）人： | 深圳市智讯达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/44 |
| 代理公司： | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人： | 刘大弯 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒装 led 芯片 反射层 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种倒装LED芯片的反射层结构，包括设置于P型欧姆接触层的下侧的反射层，其特征在于：所述反射层与P型欧姆接触层之间还没有一过渡层，所述反射层选自Ag反射层或Al反射层，过渡层选自AlN过渡层。
2.一种倒装LED芯片，包括有蓝宝石衬底；设置于蓝宝石衬底下侧的N型半导体层；设置于N型半导体层下侧的P型半导体层；设置于P型半导体层下侧的P型欧姆接触层；设置于P型欧姆接触层的下侧的反射层，其特征在于：所述反射层与P型欧姆接触层之间还没有AlN过渡层，所述反射层选自Ag反射层或Al反射层。
3.根据权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述半导体层选自GaN半导体层。
4.根据权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于：在反射层的下侧还设有一保护层。
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