[实用新型]一种新型散热器结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及散热器设备技术领域，尤其是一种用于IGBT晶体管的散热器结构。

背景技术

散热器是用来传导、释放热量的一系列装置的统称。目前散热器主要有采暖散热器、计算机散热器，其中采散热器又可根据材质和工作模式分为若干种，计算机散热器可根据用途和安装方法分为若干种。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

在当今日益严峻的环境问题和能源消耗压力下，低碳经济正成为世界各国的发展共识。而低碳经济涉及节能减排、风能、太阳能、智能电网、高速列车等产业。不为人所知的是，功率器件特别是IGBT在节能减排、新能源、新能源汽车、高铁、智能电网领域发挥着不可替代和不可或缺的重要作用，是低碳经济的关键核“芯”。

由于电力是目前主要的工业能源，因此要实现国家节能减排的宏大目标，关键就是要有效降低工业生产过程中大电流和高电压应用的功耗，如交流电机控制、继电器、UPS电源、开关电源、变频器、有源滤波器、EPS电源、工业传动装置、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源等，以及提高新能源领域的能源转换效率，如提高逆变器、风力发电设备等的转换效率。而上述设备的关键核心器件就是IGBT。

IGBT加工过程中，关键步骤为冷却，现有技术中的冷却设备可靠性差，无法达到IGBT所需的冷却效果。

实用新型内容

本申请人针对上述现有生产技术中的缺点，提供一种结构合理的一种新型散热器结构，从而可以方便的实现IGBT晶体管的散热，散热效果好，可靠性好，保证IGBT晶体管的加工质量。

本实用新型所采用的技术方案如下：

一种新型散热器结构，包括冷却板，所述冷却板板面上上下间隔分别开有通入热介质的上边槽与下边槽，位于上边槽与下边槽之间的板面上开有多条竖直方向的方槽，多条方槽分别与上边槽与下边槽连通。

其进一步技术方案在于：

所述方槽成细长形结构。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型结构合理，制作方便，使用时，热介质通过上边槽和下边槽均匀的流入其中部的方槽内，由于方槽成细长形结构，则在方槽上形成的薄壁管达到散热的效果，散热效果好，加工方便，提高IGBT晶体管加工过程中的可靠性，保证加工质量。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型的主视图。

图3为图2的侧视图。

其中：1、上边槽；2、方槽；3、下边槽；4、冷却板。

具体实施方式

下面结合附图，说明本实用新型的具体实施方式。

如图1所示，本实施例的新型散热器结构，包括冷却板4，冷却板4板面上上下间隔分别开有通入热介质的上边槽1与下边槽3，位于上边槽1与下边槽3之间的板面上开有多条竖直方向的方槽2，多条方槽2分别与上边槽1与下边槽3连通。

方槽2成细长形结构。

根据所需加工的IGBT晶体管的数量以及冷却要求，改变冷却板4上方槽2的条数。

实际使用过程中，将IGBT晶体管放置于冷却板4板面上，在冷却板4上通入热介质，热介质通过上边槽1和下边槽3均匀的流入其中部的方槽2内，各方槽2的侧壁形成薄壁管，由于薄壁管的作用达到冷却，散热的效果。

本实用新型所述的冷却板4面积较大，比普通的散热器大，其在钎焊时，当冷却板4达到钎焊温度时，要比普通的散热器多持续一半或者更长时间来使冷却板4完成钎透。

以上描述是对本实用新型的解释，不是对实用新型的限定，本实用新型所限定的范围参见权利要求，在本实用新型的保护范围之内，可以作任何形式的修改。