[实用新型]芯片式无电弧高分子PTC热敏电阻器有效
申请号: | 201320444139.6 | 申请日: | 2013-07-24 |
公开(公告)号: | CN203444890U | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 梁凤梅;田宗谦 | 申请(专利权)人: | 深圳市金瑞电子材料有限公司 |
主分类号: | H01C7/02 | 分类号: | H01C7/02 |
代理公司: | 深圳市携众至远知识产权代理事务所(普通合伙) 44306 | 代理人: | 成义生;肖溶兰 |
地址: | 518110 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 电弧 高分子 ptc 热敏 电阻器 | ||
1.一种芯片式无电弧高分子PTC热敏电阻器,其包括PTC热敏电阻芯片(10)及设于该热敏电阻片两端的电极片(20),其特征在于,在所述PTC热敏电阻芯片(10)外部设有用于抑制电极片(20)电极间的电弧放电用的绝缘体(30)。
2.如权利要求1所述的芯片式无电弧高分子PTC热敏电阻器,其特征在于,所述绝缘体(30)是由单组份有机硅制成的覆盖PTC热敏电阻芯片(10)的绝缘层。
3.如权利要求2所述的芯片式无电弧高分子PTC热敏电阻器,其特征在于,所述绝缘体(30)是将单组份有机硅涂覆于所述PTC热敏电阻芯片(10)的外表面上而形成的绝缘层。
4.如权利要求3所述的芯片式无电弧高分子PTC热敏电阻器,其特征在于,所述绝缘体(30)是将单组份有机硅涂覆于所述PTC热敏电阻芯片(10)的前、后、左、右四个侧表面上而形成的绝缘层。
5.如权利要求1所述的芯片式无电弧高分子PTC热敏电阻器,其特征在于,所述两块电极片(20)热压固定于所述PTC热敏电阻芯片(10)的沿长度方向的两端。
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