[实用新型]一种硅基BGA的圆片级芯片封装结构

权利要求书

1.一种硅基BGA的圆片级芯片封装结构，其包括若干个IC芯片（100）、圆片（200）和若干个焊球凸点（300），所述IC芯片（100）的芯片本体（110）设有芯片电极（111），所述圆片（200）的硅基本体（210）的表面覆盖绝缘层（220），所述绝缘层（220）的表面设置再布线金属走线层（230），所述再布线金属走线层（230）的表面设置介电层（240）， 

其特征在于：所述介电层（240）上形成介电层开口，所述介电层开口包括介电层开口Ⅰ（241）和分布于介电层开口Ⅰ（241）周围的若干个介电层开口Ⅱ（242），所述介电层开口Ⅰ（241）内所述IC芯片（100）通过金属微结构（120）倒装于再布线金属走线层（230）的表面，所述金属微结构（120）包括金属柱（121）和设置在金属柱（121）顶部的金属微凸点（122），所述IC芯片（100）与再布线金属走线层（230）、介电层（240）之间的空间设置填充料（400），所述介电层开口Ⅱ（242）呈球栅阵列分布，所述焊球凸点（300）分布于介电层开口Ⅱ（242）内，并与再布线金属走线层（230）的表面连接，所述焊球凸点（300）呈球栅阵列分布，所述IC芯片（100）通过再布线金属走线层（230）内的金属走线设计与焊球凸点（300）实现电信号连接。

2.根据权利要求1所述的一种硅基BGA的圆片级芯片封装结构，其特征在于：还包括植球面（310），所述植球面（310）形成于介电层开口Ⅱ（242）内的再布线金属走线层（230）的表面，所述焊球凸点（300）通过植球面（310）与再布线金属走线层（230）连接。

3.根据权利要求1所述的一种硅基BGA的圆片级芯片封装结构，其特征在于：所述金属微结构（120）设置于芯片电极（111）的表面。

4.根据权利要求1或3所述的一种硅基BGA的圆片级芯片封装结构，其特征在于：所述芯片电极（111）的个数为两个以上。

5.根据权利要求1或3所述的一种硅基BGA的圆片级芯片封装结构，其特征在于：所述金属微结构（120）的个数为两个以上。

6.根据权利要求5所述的一种硅基BGA的圆片级芯片封装结构，其特征在于：所述金属微结构（120）的间距小于0.4mm。

7.根据权利要求6所述的一种硅基BGA的圆片级芯片封装结构，其特征在于：所述金属微结构（120）的间距为0.05~0.3 mm。