[实用新型]于晶圆抛光操作时测量晶圆厚度的机构

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶圆抛光，尤其关于晶圆抛光时的厚度测量机构。

背景技术

请参阅“图1”与“图2”所示，发光二极管晶圆1在制造完成之后，必须进行晶圆减薄加工，其包含研磨与抛光操作，以进行后续的晶圆切割、封装等操作。

已知发光二极管晶圆1在减薄加工时，必须加以固定不动，由于发光二极管晶圆1的厚度相当得薄，为避免裂缝或破片，无法使用一般半导体工艺使用的真空吸附固定装置，已知为将多个发光二极管晶圆1利用固定腊2黏着固定于一圆盘3上，以进行研磨与抛光。

或者，请再参阅“图3”所示，也有人利用一胶膜4与一铁环5来固定发光二极管晶圆1，其中，该胶膜4具有一黏贴面4A与一底面4B，该胶膜4的黏贴面4A固定于该铁环5下，并且该胶膜4的黏贴面4A黏贴发光二极管晶圆1。

而要进行抛光操作时，请再一并参阅“图4”所示，圆盘3或铁环5为直接作为抛光盘使用而固定一抛光机6上以进行抛光操作，而当预设的抛光操作完成之后，一般为需要整个拆下圆盘3或铁环5，以测量发光二极管晶圆1的厚度，是否达到需求，当抛光不足时，则需要重新装上圆盘3或铁环5再次进行抛光操作。

显然，此常用抛光操作的晶圆厚度测量方式，会造成需要反复拆装圆盘3或铁环5的困扰，其耗时费工，难以满足使用上的需求。

实用新型内容

于是，本实用新型的主要目的在于披露一种于晶圆抛光操作测量晶圆厚度的机构，其不需拆卸抛光盘即可直接测量晶圆的厚度，可以满足使用上的需求。

基于上述目的，本实用新型为一种于晶圆抛光操作时测量晶圆厚度的机构，配合至少一抛光装置使用，且所述至少一抛光装置分别悬吊设置一抛光盘，其特征在于，该测量晶圆厚度的机构包含：一悬吊柱，该悬吊柱悬吊设置于至少一抛光装置的附近；一转动部，该转动部设置于悬吊柱的底部并相对于悬吊柱转动；一悬臂杆，该悬臂杆固定于转动部上，并且通过转动部的转动而使悬臂杆的末端移至抛光盘的下方；以及一测量机构，该测量机构设置于悬臂杆的末端。

进一步地，所述至少一抛光装置等距地围绕悬吊柱设置。

进一步地，所述至少一抛光装置的数量为4个。

进一步地，测量机构具有朝上设置的一探针头。

进一步地，悬臂杆固定于具有垂直移动自由度的一移动部上，移动部固定于转动部上。

据此，当固定于该抛光盘上的晶圆要测量厚度时，本实用新型不需要拆下该抛光盘，而仅需要通过该转动部的转动，即可使该测量机构直接进入该抛光盘（晶圆）的下方，故该测量机构即可直接测量晶圆的厚度，当晶圆的厚度仍然过厚时，可再次通过该转动部的转动，使该测量机构离开该抛光盘（晶圆）的下方，即可继续进行晶圆抛光操作，因此本实用新型可节省拆装该抛光盘的时间，满足使用上的需要。

附图说明

图1为已知发光二极管晶圆结构图。

图2为已知发光二极管晶圆固定示意图。

图3为另一已知胶膜与铁环固定晶圆的示意图。

图4为已知发光二极管晶圆固定于抛光盘结构图。

图5为本实用新型结构图。

图6为本实用新型优选实施例的立体结构图。

图7为本实用新型优选实施例的另一立体结构图。

具体实施方式

有关本实用新型的详细说明及技术内容，现就配合图式说明如下：

请参阅“图5”、“图6”与“图7”所示，本实用新型为一种于晶圆抛光操作测量晶圆厚度的机构，配合至少一抛光装置10使用，且该至少一抛光装置10分别悬吊设置一抛光盘11，该机构包含一悬吊柱20、一转动部30、一悬臂杆40与一测量机构50，其中，该悬吊柱20悬吊设置于该至少一抛光装置10的附近，且该至少一抛光装置10可以等距围绕该悬吊柱20设置，并如图所示，该至少一抛光装置10的数量，优选者为4个，可达最佳的经济效益，但不应限制为4个，3个、2个、甚至1个也可以。

而该转动部30设置于该悬吊柱20的底部并相对该悬吊柱20转动，该悬臂杆40则固定于该转动部30上且如“图6”与“图7”所示，可依据需要通过该转动部30的转动而使该悬臂杆40的末端，移至该至少一抛光装置10的该抛光盘11的任一个的下方，且该测量机构50设置于该悬臂杆40的末端。