[实用新型]一种氮化镓基发光二极管外延片MQS发光层

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED外延片技术领域，具体涉及一种氮化镓基发光二极管外延片MQS发光层。

背景技术

目前，蓝绿光发光二极管的主流是在蓝宝石或碳化硅衬底上生长GaN材料，其中绝大部分采用蓝宝石作为衬底，由于蓝宝石衬底与GaN材料之间较大的晶格失配与热失配，导致GaN外延层内产生高密度的缺陷，例如穿透位错。实验证明这些缺陷是III族氮化物基发光二极管中反向漏电电流产生的一个重要途径。MQS发光层厚度尺寸在后续LED使用过程中对发光亮度起到决定性的作用,现有外延片的MQS发光层在生长过程中，由于厚度控制问题，导致发光二极管的亮度通常较低。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种氮化镓基发光二极管外延片MQS发光层，该技术方案有效解决传统外延片的MQS发光层在生长过程中的厚度问题，导致发光二极管的亮度通常较低。

本实用新型通过以下技术方案实现：

一种氮化镓基发光二极管外延片MQS发光层，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（4）以及P型GaN层（5），其特征在于：所述MQW发光层（4）包括GaN超晶格层（41）、InGaN超晶格层（42）, 所述GaN超晶格层（41）厚度为11nm,InGaN超晶格层（42）厚度为3nm。

本实用新型与现有技术相比，具有以下明显优点：本实用新型在传统外延片的生长过程中将GaN超晶格层、InGaN超晶格层的厚度分别控制在11nm和3nm，这样发光二极管发出的光的光峰宽小，光的集中端高，从而提高了二极管的亮度。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图1中11为蓝宝石衬底层；2为Buffer—缓冲层；3为N型GaN层； 4为MQW发光层；5为P型GaN层。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型包括蓝宝石衬底层1、Buffer—缓冲层2、N型GaN层3、MQW发光层4以及P型GaN层5，所述MQW发光层4包括GaN超晶格层41、InGaN超晶格层42, 所述GaN超晶格层41厚度为11nm,InGaN超晶格层42厚度为3nm。

本实用新型未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。